ZMY4.7

更新时间： 2024-09-18 12:47:27

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德欧泰克 - DIOTEC		稳压二极管齐纳二极管
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描述
Surface mount Silicon-Zener Diodes (non-planar technology)

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ZMY4.7 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	O-PELF-R2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.4	Is Samacsys：	N
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	ZENER DIODE
最大动态阻抗：	5 Ω	JEDEC-95代码：	DO-213AB
JESD-30 代码：	O-PELF-R2	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-50 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	1.3 W	标称参考电压：	4.7 V
子类别：	Voltage Reference Diodes	表面贴装：	YES
技术：	ZENER	端子形式：	WRAP AROUND
端子位置：	END	最大电压容差：	5%
工作测试电流：	100 mA	Base Number Matches：	1

ZMY4.7 数据手册

ZMY 1…ZMY 200 (1.3 W)

Surface mount Silicon-Zener Diodes

(non-planar technology)

Flächendiffundierte Si-Zener-Dioden

für die Oberflächenmontage

Version 2004-05-13

Maximum power dissipation

1.3 W

Maximale Verlustleistung

Nominal Z-voltage – Nominale Z-Spannung

1…200 V

Plastic case MELF

DO-213AB

Kunststoffgehäuse MELF

Weight approx. – Gewicht ca.

0.12 g

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

Standard packaging taped and reeled

Standard Lieferform gegurtet auf Rolle

see page 18

siehe Seite 18

Dimensions / Maße in mm

Standard Zener voltage tolerance is graded to the international E 24 (~5%) standard.

Other voltage tolerances and higher Zener voltages on request.

Die Toleranz der Zener-Spannung ist in der Standard-Ausführung gestuft nach der internationalen

Reihe E 24 (~5%). Andere Toleranzen oder höhere Arbeitsspannungen auf Anfrage.

Advantages of non-planar Zener-Diodes:

Improved clamping capability

Vorteile der flächendiffundierten Zener-Dioden:

Hohe Impulsfestigkeit

Increased max. zener current I_Zmax

Hoher max. Arbeitsstrom I_Zmax

Chips produced with Plasma-EPOS technology

Molded plastic over passivated junction

Chips hergestellt in Plasma-EPOS-Technologie

Passivierte Chips im Plastik-Gehäuse

Maximum ratings and Characteristics

Grenz- und Kennwerte

Power dissipation – Verlustleistung

T_A= 50°C

T_A= 25°C

P_tot

1.3 W ¹)

40 W

Non repetitive peak power dissipation, t < 10 ms

Einmalige Impuls-Verlustleistung, t < 10 ms

P_ZSM

Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

T_j

T_S

– 50...+150°C

– 50...+175°C

Thermal resistance junction to ambient air

Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft

R_thA

R_thT

< 45 K/W ¹)

Thermal resistance junction to terminal

< 10 K/W

Wärmewiderstand Sperrschicht – Kontaktfläche

)

Mounted on P.C. board with 50 mm²copper pads at each terminal

Montage auf Leiterplatte mit 50 mm²Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluß

Tested with pulses – Gemessen mit Impulsen

)

The ZMY 1 is a diode operated in forward. Hence, the index of all parameters should be “F” instead of “Z”.

The cathode, indicated by a white ring is to be connected to the negative pole.

Die ZMY 1 ist eine in Durchlaß betriebene Si-Diode. Daher ist bei allen Kenn- und Grenzwerten der Index

“F” anstatt “Z” zu setzten. Die durch den weißen Ring gekennzeichnete Kathode ist mit dem Minuspol zu verbinden.

210

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
ZMY4.7	VISHAY	功能相似	ZENER DIODES
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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
ZMY4.7/25	VISHAY	获取价格	Zener Diode, 4.7V V(Z), 6.38%, 1W, Silicon, Unidirectional, GLASS, MELF-2
ZMY4.7C	EIC	获取价格	ZENER DIODES
ZMY4.7G	DIOTEC	获取价格	Surface mount Silicon-Zener Diodes (planar technology)
ZMY4.7GR7	DIOTEC	获取价格	Zener Diode,
ZMY43	CDIL	获取价格	SILICON PLANAR POWER ZENER DIODES
ZMY43	EIC	获取价格	ZENER DIODES
ZMY43	SEMIKRON	获取价格	Zener silicon diodes
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