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ZMY12 PDF预览

ZMY12

更新时间： 2024-11-13 22:06:55
品牌 Logo 应用领域
德欧泰克 - DIOTEC 稳压二极管齐纳二极管测试IOT
页数 文件大小 规格书
2页 57K
描述
Surface mount Silicon-Zener Diodes (non-planar technology)

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ZMY12 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
零件包装代码：DO-213AB包装说明：O-PELF-R2
针数：2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.50
风险等级：1.68Is Samacsys：N
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：ZENER DIODE
最大动态阻抗：7 ΩJEDEC-95代码：DO-213AB
JESD-30 代码：O-PELF-R2湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-50 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：260
极性：UNIDIRECTIONAL最大功率耗散：1.3 W
认证状态：Not Qualified标称参考电压：12 V
子类别：Voltage Reference Diodes表面贴装：YES
技术：ZENER端子形式：WRAP AROUND
端子位置：END处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
最大电压容差：5%工作测试电流：50 mA
Base Number Matches：1

ZMY12 数据手册

 浏览型号ZMY12的Datasheet PDF文件第2页 
ZMY 1…ZMY 200 (1.3 W)  
Surface mount Silicon-Zener Diodes  
(non-planar technology)  
Flächendiffundierte Si-Zener-Dioden  
für die Oberflächenmontage  
Version 2004-05-13  
Maximum power dissipation  
1.3 W  
Maximale Verlustleistung  
Nominal Z-voltage – Nominale Z-Spannung  
1…200 V  
Plastic case MELF  
DO-213AB  
Kunststoffgehäuse MELF  
Weight approx. – Gewicht ca.  
0.12 g  
Plastic material has UL classification 94V-0  
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert  
Standard packaging taped and reeled  
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle  
see page 18  
siehe Seite 18  
Dimensions / Maße in mm  
Standard Zener voltage tolerance is graded to the international E 24 (~5%) standard.  
Other voltage tolerances and higher Zener voltages on request.  
Die Toleranz der Zener-Spannung ist in der Standard-Ausführung gestuft nach der internationalen  
Reihe E 24 (~5%). Andere Toleranzen oder höhere Arbeitsspannungen auf Anfrage.  
Advantages of non-planar Zener-Diodes:  
Improved clamping capability  
Vorteile der flächendiffundierten Zener-Dioden:  
Hohe Impulsfestigkeit  
Increased max. zener current IZmax  
Hoher max. Arbeitsstrom IZmax  
Chips produced with Plasma-EPOS technology  
Molded plastic over passivated junction  
Chips hergestellt in Plasma-EPOS-Technologie  
Passivierte Chips im Plastik-Gehäuse  
Maximum ratings and Characteristics  
Grenz- und Kennwerte  
Power dissipation – Verlustleistung  
TA = 50°C  
TA = 25°C  
Ptot  
1.3 W 1)  
40 W  
Non repetitive peak power dissipation, t < 10 ms  
Einmalige Impuls-Verlustleistung, t < 10 ms  
PZSM  
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur  
Storage temperature – Lagerungstemperatur  
Tj  
TS  
– 50...+150°C  
– 50...+175°C  
Thermal resistance junction to ambient air  
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft  
RthA  
RthT  
< 45 K/W 1)  
Thermal resistance junction to terminal  
< 10 K/W  
Wärmewiderstand Sperrschicht – Kontaktfläche  
1
)
Mounted on P.C. board with 50 mm2 copper pads at each terminal  
Montage auf Leiterplatte mit 50 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluß  
Tested with pulses – Gemessen mit Impulsen  
2
3
)
)
The ZMY 1 is a diode operated in forward. Hence, the index of all parameters should be “F” instead of “Z”.  
The cathode, indicated by a white ring is to be connected to the negative pole.  
Die ZMY 1 ist eine in Durchlaß betriebene Si-Diode. Daher ist bei allen Kenn- und Grenzwerten der Index  
“F” anstatt “Z” zu setzten. Die durch den weißen Ring gekennzeichnete Kathode ist mit dem Minuspol zu verbinden.  
210  
12

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ZMY12 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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ZMY120 DIOTEC

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