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ZMV835B

更新时间: 2024-09-10 21:20:55
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美台 - DIODES 光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 43K
描述
Variable Capacitance Diode, 68pF C(T), 25V, Silicon

ZMV835B 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Obsolete
包装说明:R-PDSO-G2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.05Is Samacsys:N
最小击穿电压:25 V配置:SINGLE
二极管电容容差:5%最小二极管电容比:5
标称二极管电容:68 pF二极管元件材料:SILICON
二极管类型:VARIABLE CAPACITANCE DIODEJESD-30 代码:R-PDSO-G2
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
最大功率耗散:0.33 W认证状态:Not Qualified
最小质量因数:100最大重复峰值反向电压:25 V
子类别:Varactors表面贴装:YES
端子面层:MATTE TIN端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:40
Base Number Matches:1

ZMV835B 数据手册

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