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ZHCS2000

更新时间： 2024-02-22 20:12:05

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捷特科 - ZETEX		二极管
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6页	301K
描述
40V SILICON HIGH CURRENT SCHOTTKY BARRIER DIODE

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ZHCS2000 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	MINIATUER PACKAGE-6	Reach Compliance Code：	unknown
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.41
Is Samacsys：	N	应用：	EFFICIENCY
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	0.325 V
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	最大非重复峰值正向电流：	20 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	6	最高工作温度：	125 °C
最大输出电流：	2 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	最大功率耗散：	1.1 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	40 V
最大反向恢复时间：	0.0055 µs	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
Base Number Matches：	1

ZHCS2000 数据手册

ZHCS2000

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T_amb= 25°C unless otherwise stated).

PARAMETER

SYMBOL

MIN.

TYP.

MAX. UNIT CONDITIONS.

Reverse Breakdown

Voltage

V_(BR)R

I_R=1mA

Forward Voltage

V_F

290

340

380

420

485

420

325

385

445

500

615

I_F=500mA*

I_F=1000mA*

I_F=1500mA*

I_F=2000mA*

I_F=3000mA*

I_F=2000mA*,T_amb=100°C*

Reverse Current

I_R

160

300

V_R=30V

µA

Diode Capacitance

C_D

t_rr

f=1MHz,V_R=25V

Reverse Recovery

Time

5.5

switched from

I_F= 500mA to I_R= 500mA

Measured at I_R= 50mA

*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤2%

ISSUE 1 - DECEMBER 2000

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