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ZHA12000

更新时间： 2024-11-18 15:58:51

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ZHA12000 技术参数

极性：	12000	Maximum recurrent peak reverse voltage：	200-600
IFSM(KA)：	85	VFM(V)：	1.02
IFM(A)：	8000	F(KN)：	50
Storage Temperature Range：	175	OUTLINE：	ZTA63

ZHA12000 数据手册

Welding Diodes

Features

●

Super small volume,large current.

●

Ultra-thin silicon wafe manufacturing,protectiontt technology.

Thin ceramic package or encapsulation without ceramic package.

●

Special multilayer metal ohmic contact.

High-power avalanche featues.

Large surge current test.

●

R_FCan be directly connected in parallel with ultra-low threshold voltage

VFO,low slope resistor R_F.

●

Rthjc Low junction case thermal resistance Rthjc.

Used for reduced volume and greatil increase current.

Ceramic package

I_FSM@T_jm

V_FM@I_FM

I_F(AV)@Tc

T_jm

th(j-c)

Outline

RRM

F±10%

&T_C=25℃

=85℃

&10ms

@T_jm

Type

℃

K/W

mΩ

μC

ZHA7100

ZHA12000

ZHA16000

ZTA50

ZTA63

ZTA76

5000

1.05

0.010

0.025

0.019

0.017

≤400

200~600

0.74

0.75

175

7100

8000

1.02

1.09

0.006

0.004

12000

16000

12000

120

Pressure package without case

I_FSM@T_jm

V_FM@I_FM

I_F(AV)@Tc

RRM

F±10%

T_jm

th(j-c)

&T_C=25℃

=85℃

&10ms

Type

@T_jm

Outline

℃

K/W

mΩ

μC

ZHA9200

ZTA53

ZTA56

2=8000

8000

1.03

1.01

0.0056

0.031

≤300

200~600

0.78

0.81

175

9200

ZHA10500

0.026

0.021

0.018

175

0.005

0.004

0.003

10500

13500

18000

10000

0.97

ZHA13500

ZHA18000

≤300

ZTA63

ZTA75

200~600

0.76

0.78

12000

1.09

135

http://www.lgesemi.com

Revision:20190101-P1

mail:lge@lgesemi.com

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