YG802C09R

更新时间： 2024-11-28 22:09:47

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富士电机 - FUJI		肖特基二极管
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3页	52K
描述
SCHOTTKY BARRIER DIODE

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YG802C09R 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.82
其他特性：	HIGH RELIABILITY	应用：	GENERAL PURPOSE
外壳连接：	ISOLATED	配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	最大非重复峰值正向电流：	80 A
元件数量：	2	相数：	1
端子数量：	3	最大输出电流：	5 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	90 V	表面贴装：	NO
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	Base Number Matches：	1

YG802C09R 数据手册

YG802C09R

(90V / 10A TO-22OF15)

Outline Drawings

SCHOTTKY BARRIER DIODE

+0.2

ø3.2 ^-0.1

4.5±0.2

2.7±0.2

10±0.5

1.2±0.2

Features

0.6 ^+0.2

-0

0.7±0.2

Low VF

2.7±0.2

2.54±0.2

Super high speed switching.

High reliability by planer design.

JEDEC

EIAJ

SC-67

Applications

Connection Diagram

High speed power switching.

Maximum Ratings and Characteristics

Absolute Maximum Ratings

Symbol

V^RRM

VRSM

Viso

Conditions

Rating

Item

Unit

Repetitive peak reverse voltage

Repetitive peak surge reverse voltage

Isolation voltage

100

tw=500ns, duty=1/40

Terminals to Case,

AC. 1min.

1500

duty=1/2, Tc=102°C

Square wave

10*

Average output current

Surge current

IFSM

Sine wave 10ms

-40 to +150

Operating junction temperature

Storage temperature

°C

Tstg

Out put current of centertap full wave connection.

Electrical Characteristics (Ta=25°C Unless otherwise specified )

Item

Symbol

V^F

Conditions

IF=4.0A

Max.

0.9

Unit

Forward voltage drop **

Reverse current **

Thermal resistance

VR=VRRM

5.0

Rth(j-c)

Junction to case

3.5

°C/W

**Rating per element

Mechanical Characteristics

N · m

0.3 to 0.5

2.3

Recommended torque

Mounting torque

Weight

12 3

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