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XP231P02013R

更新时间： 2024-11-19 14:54:59

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XP231P02013R 数据手册

XP231P02013R-G

P-channel MOSFET -30V, -0.2A

■FEATURES

ETR11051-001

■APPLICATIONS

On-State Resistance

Driving voltage

: RDS(on)＝5Ω@VGS =-4.5V

●Switching

: -2.5V

Environmentally Friendly : EU RoHS Compliant, Pb Free

■EQUIVALENT CIRCUIT

■ PIN CONFIGURATION

●SOT-323-3A

Drain

Source

Gate

■ PRODUCT NAME

PRODUCT NAME

PACKAGE

ORDER UNIT

3,000 pcs/ Reel

XP231P02013R-G *

SOT-323-3A

* The “-G” suffix denotes Halogen and Antimony free as well as beingfully EU RoHS compliant

■ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Ta=25℃

PARAMETER

Drain-Source Voltage

SYMBOL

RATINGS

UNITS

V_DSS

V_GSS

I_D

-30

±8

Gate-Source Voltage

Drain Current (DC)

-0.2

Drain Current (Pulse) ^(*1)

Channel Power Dissipation ^(*2)

Junction Temperature

Storage Temperature

^*(1)PW≦10μs,duty cycle≦1%

I_DP

-0.4

P_d

0.35

150

℃

T_J

T_stg

-55~150

^(*2)When implemented on a PCB defined by JESD51-7

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