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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> XN02401
XN02401 PDF预览

XN02401

更新时间： 2024-09-29 22:11:27
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 晶体小信号双极晶体管光电二极管放大器
页数 文件大小 规格书
3页 45K
描述
Silicon PNP epitaxial planer transistor

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XN02401 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SC-74A包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G5
针数：5Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.83Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：COMMON BASE, 2 ELEMENTS最小直流电流增益 (hFE)：160
JESD-30 代码：R-PDSO-G5JESD-609代码：e6
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：5封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：Tin/Bismuth (Sn/Bi)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：80 MHzBase Number Matches：1

XN02401 数据手册

 浏览型号XN02401的Datasheet PDF文件第2页浏览型号XN02401的Datasheet PDF文件第3页 
Composite Transistors  
XN2401  
Silicon PNP epitaxial planer transistor  
Unit: mm  
For general amplification  
2.8+0.2  
1.5+0.25  
-
0.3  
0.65±0.15  
-0.05  
0.65±0.15  
5
1
2
Features  
■
●
Two elements incorporated into one package.  
(Base-coupled transistors)  
Reduction of the mounting area and assembly cost by one half.  
4
3
●
Basic Part Number of Element  
2SB709A × 2 elements  
■
●
0.1 to 0.3  
0.4±0.2  
Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)  
1 : Collector (Tr1)  
2 : Collector (Tr2)  
3 : Emitter (Tr2)  
4 : Base  
5 : Emitter (Tr1)  
EIAJ : SC–74A  
Mini Type Pakage (5–pin)  
■
Parameter  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Ratings  
–60  
Unit  
V
Collector to base voltage  
Collector to emitter voltage  
Emitter to base voltage  
Collector current  
Peak collector current  
Total power dissipation  
–50  
V
Rating  
of  
element  
Marking Symbol: 7R  
Internal Connection  
–7  
V
–100  
mA  
mA  
mW  
˚C  
ICP  
–200  
Tr1  
5
1
2
PT  
300  
Overall Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
150  
4
Tstg  
–55 to +150  
˚C  
3
Tr2  
Electrical Characteristics (Ta=25˚C)  
■
Parameter  
Symbol  
VCBO  
Conditions  
min  
–60  
–50  
–7  
typ  
max  
Unit  
V
Collector to base voltage  
Collector to emitter voltage  
Emitter to base voltage  
IC = –10µA, IE = 0  
VCEO  
VEBO  
ICBO  
ICEO  
hFE  
IC = –2mA, IB = 0  
IE = –10µA, IC = 0  
VCB = –20V, IE = 0  
VCE = –10V, IB = 0  
VCE = –10V, IC = –2mA  
V
V
– 0.1  
–100  
460  
µA  
µA  
Collector cutoff current  
Forward current transfer ratio  
160  
0.5  
Forward current transfer hFE ratio  
hFE (small/large)*1 VCE = –10V, IC = –2mA  
0.99  
– 0.3  
80  
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
IC = –100mA, IB = –10mA  
– 0.5  
V
MHz  
pF  
Transition frequency  
fT  
VCB = –10V, IE = 1mA, f = 200MHz  
VCB = –10V, IE = 0, f = 1MHz  
Collector output capacitance  
*1 Ratio between 2 elements  
Cob  
2.7  
1
123

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, ROHS CO
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