Datasheet > XN02401G

XN02401G

更新时间： 2024-09-30 20:08:59

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		放大器光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	220K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, ROHS COMPLIANT, MINI5-G2, 5 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

XN02401G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G5	针数：	5
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.82
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	COMMON BASE, 2 ELEMENTS	最小直流电流增益 (hFE)：	160
JESD-30 代码：	R-PDSO-G5	元件数量：	2
端子数量：	5	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	80 MHz
Base Number Matches：	1

XN02401G 数据手册

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).

Composite Transistors

XN02401G

Silicon PNP epitaxial planar type

For general amplification

■ Package

■ Features

•

• Two elements incorporated into one package

(Base-coupled transistors)

Code

Mini5-G2

•

• Reduction of the mounting area and assembly cost by one half

Pin Name

1: Collector (Tr1) 4: Base

2: Collector (Tr2) 5: Emitter (Tr1)

3: Emitter (Tr2)

■ Basic Part Number

• 2SB0709A × 2

■ Marking Symbol: 7R

■ Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

Parameter

Symbol

Rating

−60

Unit

■ Internal Connection

Collector-base voltage (Emitter open) V_CBO

Collector-emitter voltage (Base open) V_CEO

Emitter-base voltage (Collector open) V_EBO

−50

(E2) (B) (E1)

−7

Collector current

I_C

I_CP

P_T

−100

−200

300

°C

Peak collector current

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

Tr2

Tr1

T_j

150

(C2)

(C1)

T_stg

−55 to +150

°C

■ Electrical Characteristics T_a= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CBO

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Emitter-base voltage (Collector open)

Collector-base cutoff current (Emitter open)

Collector-emitter cutoff current (Base open)

Forward current transfer ratio

I_C= −10 µA, I_E= 0

−60

−50

−7

I_C= −2 mA, I_B= 0

I_E= −10 µA, I_C= 0

V_CB= −20 V, I_E= 0

V_CE= −10 V, I_B= 0

V_CE= −10 V, I_C= −2 mA

− 0.1

−100

460

µA



I_CEO

h_FE

160

_FEratio ^*

h_FE(Small/V_CE= −10 V, I_C= −2 mA

Large)

0.50

0.99

Collector-emitter saturation voltage

Transition frequency

V_CE(sat)I_C= −100 mA, I_B= −10 mA

− 0.3 − 0.5

MHz

f_T

V_CB= −10 V, I_E= 1 mA, f = 200 MHz

V_CB= −10 V, I_E= 0, f = 1 MHz

Collector output capacitance

C_ob

2.7

(Common base, input open circuited)

Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

2. : Ratio between 2 elements

Publication date: March 2009

SJJ00450AED

12 3 4 5

中文翻译

下载PDF

与XN02401G相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
XN02501	PANASONIC	获取价格	Silicon NPN epitaxial planer transistor
XN02501(XN2501)	ETC	获取价格	複合デバイス－複合トランジスタ
XN02501\|XN2501	ETC	获取价格	Composite Device - Composite Transistors
XN02501G	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, ROHS CO
XN02531	PANASONIC	获取价格	Silicon NPN epitaxial planer transistor
XN02531(XN2531)	ETC	获取价格	複合デバイス－複合トランジスタ
XN04110	PANASONIC	获取价格	Silicon PNP epitaxial planar type
XN04110(XN4110)	ETC	获取价格	複合デバイス－複合トランジスタ
XN04110\|XN4110	ETC	获取价格	Composite Device - Composite Transistors
XN04111	PANASONIC	获取价格	Silicon PNP epitaxial planar type

与XN02401G相关文章

塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
2024-09-29

30
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
2024-09-29

27
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
2024-09-27

26
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
2024-09-27

35

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

XN02401G

XN02401G 技术参数

XN02401G 数据手册

与XN02401G相关器件

与XN02401G相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

XN02401G

XN02401G 技术参数

XN02401G 数据手册

与XN02401G相关器件

与XN02401G相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？