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XN02531(XN2531)

更新时间： 2024-09-29 23:33:19

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描述
複合デバイス－複合トランジスタ

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XN02531(XN2531) 数据手册

複合トランジスタ

XN02531 (XN2531)

シリコンNPNエピタキシャルプレーナ形

Unit : mm

+0.20

–0.05

1.9 0.1

(0.95) (0.95)

2.90

高周波・発振・混合用

+0.10

–0.06

0.16

I 特ꢀ長

•

1パッケージに2素子内蔵 (ベース共通)

• 実装面積とアセンブリコストの半減が可能

+0.10

–0.05

0.30

I 使用素子基

本形名

10˚

•

2SC3130 × 2素子

I 絶対最大定格 T_a= 25°C

項目

記号

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

定格

単位

素子のコレクタ・ベース電圧

1 : Collector (Tr1)

2 : Collector (Tr2)

3 : Emitter (Tr2)

EIAJ : SC-74A

4 : Base

5 : Emitter (Tr1)

定格

コレクタ・エミッタ電圧

エミッタ・ベース電圧

コレクタ電流

全損失

Mini5-G1 Package

°C

形名表示記号 : 9I

P_T

200

内部接続図

総合

接合部温度

T_j

150

保存温度

T_stg

−55 ∼ +150

°C

Tr1

Tr2

I 電気的特性 T_a= 25°C

項目

記号

条件

最小標準

最大

単位

コレクタ・エミッタ電圧

エミッタ・ベース電圧

コレクタ遮断電流

V_CEO

V_EBO

I_CBO

I_CEO

h_FE

I_C= 2 mA, I_B= 0

I_E= 10 µA, I_C= 0

V_CB= 10 V, I_E= 0

V_CE= 10 V, I_B= 0

V_CE= 4 V, I_C= 5 mA

µA

直

流電流増幅率

流電流増幅率比

h_FE2/h_FE1

0.5

0.75

200

400

直

h_FE(大/ 小)

V_CE= 4 V, I_C= 5 mA

0.99

比

h_FE2/h_FE1

V_CE= 4 V, I_C= 100 µA

1.6

V_CE= 4 V, I_C= 5 mA

コレクタ・エミッタ飽和電圧

トランジション周波数

コレクタ出力容量

V_CE(sat)

f_T

I_C= 20 mA, I_B= 4 mA

0.5

2.5

GHz

V_CB= 4 V, I_E= −5 mA, f = 200 MHz

V_CB= 4 V, I_E= 0, f = 1 MHz

V_CB= 4 V, I_E= −5 mA, f = 30 MHz

V_CB= 4 V, I_E= 0, f = 1 MHz

1.4

1.9

0.9

C_ob

1.1

コレクタ・ベース時定数

帰還容量

r_bb・' C_C

C_rb

11.8

0.25

13.5

0.35

注)

: 2素子間比

注) 形名の( )内は, 従来品

番です

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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