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XMFP4-M4 PDF预览

XMFP4-M4

更新时间： 2024-02-08 23:47:33
品牌 Logo 应用领域
村田 - MURATA 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 43K
描述
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET

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XMFP4-M4 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.84
配置：SINGLEFET 技术：JUNCTION
最高频带：C BANDJESD-30 代码：R-PSSO-F3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：DEPLETION MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：SINGLE晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：GALLIUM ARSENIDEBase Number Matches：1

XMFP4-M4 数据手册

  
HIGH FREQUENCY DEVICES  
GAAS FIELD EFFECT TRANSISTORS  
POWER FET’S  
XMFP Series  
FEATURES  
ꢀ High power output  
ꢀ Excellent linear power gain  
APPLICATIONS  
ꢀ C-band power amps up to 6GHz  
ꢀ Wireless telecommunication base stations (GSM, DCS,  
PCS, ISM, etc.)  
DIMENSIONS: mm  
XMFP1-M3  
XMFP2-M3  
XMFP3-M3  
4.5  
XMFP4-M4  
A
6.0  
4.5  
4.5  
B
0.6  
4.2  
A
B
A
B
A
B
0.5  
2.5  
0.5  
2.5  
0.5  
2.5  
M
M
M
M
A k  
B k  
C k  
A k  
1.0  
1.0  
1.0  
ꢀ
ꢁ
ꢂ
ꢀ
ꢁ
ꢂ
ꢀ
ꢁ
ꢂ
1.0  
ꢀ
ꢁ
ꢂ
0.42 0.47 0.42  
0.42 0.47 0.42  
0.42 0.47 0.42  
0.5  
0.8  
0.5  
1.1  
0.4  
1.1  
0.4  
1.1  
0.4  
1.1  
0.4  
2.1  
Pin  
1.5  
1.5  
1.5  
Pin  
Marking  
A : Part No.  
Pin  
Marking  
A : Part No.  
Source B : Lot No.  
Pin  
Marking  
A : Part No.  
Marking  
A : Part No.  
Source B : Lot No.  
ꢀ
ꢁ
ꢂ
ꢀ
ꢁ
ꢂ
ꢀ
ꢁ
ꢂ
ꢀ
ꢁ
ꢂ
Gate  
Source B : Lot No.  
Drain Plastic with Heat Sink  
Gate  
Gate  
Gate  
Source B : Lot No.  
Drain Plastic with Heat Sink  
Drain  
Plastic with Heat Sink  
Drain  
Plastic with Heat Sink  
SPECIFICATIONS  
V
GDO  
I
DSS (*1)  
gm  
V
GS (OFF)  
DS = 3V  
= 1mA  
P
O
(*2) ꢀadd (*2)  
G
LP  
Rth (*3)  
Channel to  
case  
Test  
V
DS = 3V  
V
DS = 3V  
V
V
V
V
VDS = 4V, ID = 0.5IDSS, f = 1.9GHz  
I
G
= –50ꢀA  
Conditions  
V
GS = 0V  
I
D
= 120mA  
I
D
(*2: PIN = 10dBm)  
—
—
—
—
45%  
—
—
—
Min.  
200mA  
280mA  
350mA  
70mS  
–3.8V  
–2.8V  
–2.0V  
—
XMFP1-M3  
Typ.  
100mS  
—
23dBm  
16dB  
—
—
V
Max.  
–8V  
100°C/W  
Channel to  
case  
Test  
Conditions  
V
DS = 3V  
GS = 0V  
V
DS = 3V  
DS = 3V  
= 1mA  
DS = 4V, I  
D
= 0.5IDSS, f = 1.9GHz  
I
G
G
= –100ꢀA  
V
I
D
= 270mA  
I
D
(*2: PIN = 15dBm)  
—
—
—
26dBm  
—
—
45%  
—
—
15dB  
—
—
Min.  
Typ.  
Max.  
400mA  
550mA  
700mA  
150mS  
220mS  
—
–3.8V  
–2.8V  
–2.0V  
—
XMFP2-M3  
–8V  
50°C/W  
Channel to  
case  
Test  
V
DS = 5V  
GS = 0V  
1.2A  
V
DS = 5V  
= 600mA  
DS = 3V  
= 3mA  
V
DS = 4V, I  
D
= 0.8A, f = 1.9GHz  
I
= –600ꢀA  
Conditions  
V
ID  
I
D
(*2: PIN = 20dBm)  
—
—
—
—
45%  
—
—
12dB  
—
—
Min.  
Typ.  
Max.  
450mS  
520mS  
—
–4.0V  
–3.0V  
–2.0V  
XMFP3-M3  
1.7A  
30dBm  
—
—
V
–12V  
2.2A  
30°C/W  
Channel to  
case  
Test  
V
DS = 5V  
GS = 0V  
2.8A  
V
DS = 5V  
DS = 3V  
= 6mA  
DS = 4.8V, I  
D
= 1.6A, f = 0.9GHz  
I
G
= –1200ꢀA  
Conditions  
V
ID  
= 600mA  
I
D
(*2: PIN = 24dBm)  
—
—
—
35dBm  
—
—
45%  
—
—
15dB  
—
—
Min.  
Typ.  
Max.  
700mS  
900mS  
—
–4.5V  
–3.6V  
–2.8V  
—
XMFP4-M4  
3.3A  
–12V  
4.0A  
15°C/W  
*1: Pulsed Measurement: duty cycle 1:100; tON = 100ms  
*3: DVf Measurement  
Ta = 25°C  
For more detailed information regarding this product line, see Catalog No. 0-35-E, or see Murata Electronics’ web page for .pdf files and S-parameters (www.murata.com).  
290  
CG01-I  
1

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
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