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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-3-3L |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | 外壳连接： | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC)： | 15 A | 基于收集器的最大容量： | 350 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 300 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 10 | JESD-30 代码： | O-MBFM-P3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | NPN | 功耗环境最大值： | 100 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 25 MHz | 最大关闭时间（toff）： | 2000 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 250 ns | VCEsat-Max： | 0.8 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| XGSR10035-I | VISHAY | Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Metal, 3 Pin, |
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| XGSR15030 | NJSEMI | HIGH SPEED/HIGH POWER SWITCHING TRANSISTORS |
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| XGSR15030-I | VISHAY | Power Bipolar Transistor, 20A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Metal, 3 Pin, |
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| XGSR15035 | NJSEMI | HIGH SPEED/HIGH POWER SWITCHING TRANSISTORS |
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| XGSR15035-I | VISHAY | Power Bipolar Transistor, 20A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Metal, 3 Pin, |
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| XGSR15040 | NJSEMI | HIGH SPEED/HIGH POWER SWITCHING TRANSISTORS |
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