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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-3-3L |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 20 A |
| 基于收集器的最大容量： | 300 pF | 集电极-发射极最大电压： | 350 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 10 |
| JESD-30 代码： | O-MBFM-P3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | NPN |
| 功耗环境最大值： | 150 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 25 MHz |
| 最大关闭时间（toff）： | 1850 ns | 最大开启时间（吨）： | 250 ns |
| VCEsat-Max： | 0.6 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| XGSR15035-I | VISHAY | Power Bipolar Transistor, 20A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Metal, 3 Pin, |
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| XGSR15040 | NJSEMI | HIGH SPEED/HIGH POWER SWITCHING TRANSISTORS |
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| XGSZ12E1201 | SCHNEIDER | Cable Assembly, |
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| XGSZ12E1203 | SCHNEIDER | Cable Assembly, |
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| XGSZ12E1210 | SCHNEIDER | Cable Assembly, |
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| XGSZ12E1225 | SCHNEIDER | Cable Assembly, |
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