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XGSR15035-I PDF预览

XGSR15035-I

更新时间: 2024-01-17 16:29:57
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威世 - VISHAY 局域网开关晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 138K
描述
Power Bipolar Transistor, 20A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Metal, 3 Pin, F-30, ISOLATED TO-3, 3 PIN

XGSR15035-I 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-3-3L
包装说明:FLANGE MOUNT, O-MBFM-P3针数:3
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.84
外壳连接:ISOLATED最大集电极电流 (IC):20 A
基于收集器的最大容量:300 pF集电极-发射极最大电压:350 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):10
JESD-30 代码:O-MBFM-P3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:175 °C
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:NPN
功耗环境最大值:150 W认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:PIN/PEG
端子位置:BOTTOM晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):25 MHz
最大关闭时间(toff):1850 ns最大开启时间(吨):250 ns
VCEsat-Max:0.6 VBase Number Matches:1

XGSR15035-I 数据手册

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