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XC7SH04GW

更新时间： 2024-01-28 05:56:21

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安世 - NEXPERIA		光电二极管逻辑集成电路
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11页	197K
描述
InverterProduction

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XC7SH04GW 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	TSSOP,	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8542.39.00.01	风险等级：	5.7
系列：	LV/LV-A/LVX/H	JESD-30 代码：	R-PDSO-G5
JESD-609代码：	e3	长度：	2.05 mm
逻辑集成电路类型：	INVERTER	湿度敏感等级：	1
功能数量：	1	输入次数：	1
端子数量：	5	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSSOP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
传播延迟（tpd）：	14.5 ns	座面最大高度：	1.1 mm
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	2 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	AUTOMOTIVE
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.65 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	1.25 mm
Base Number Matches：	1

XC7SH04GW 数据手册

Nexperia

XC7SH04

Inverter

11. Dynamic characteristics

Table 8. Dynamic characteristics

GND = 0 V. For test circuit see Fig. 6.

Symbol Parameter

Conditions

25 °C

-40 °C to +85 °C -40 °C to +125 °C Unit

Min Typ Max

Min

Max

Min

Max

t_pd

propagation

delay

A to Y; see Fig. 5

V_CC= 3.0 V to 3.6 V

C_L= 15 pF

[1]

[2]

4.3

6.1

7.1

1.0

8.5

1.0

11.0

14.5

C_L= 50 pF

10.6

V_CC= 4.5 V to 5.5 V

C_L= 15 pF

[3]

3.1

4.5

5.5

7.5

1.0

6.5

8.5

1.0

7.0

9.5

C_L= 50 pF

C_PD

power

per buffer; C_L= 50 pF; [4]

f = 1 MHz;

dissipation

capacitance

V_I= GND to V_CC

[1] t_pdis the same as t_PLHand t_PHL

[2] Typical values are measured at V_CC= 3.3 V.

[3] Typical values are measured at V_CC= 5.0 V.

[4] C_PDis used to determine the dynamic power dissipation P_D(μW).

P_D= C_PD× V_CC²× f_i+ ∑(C_L× V_CC²× f_o) where:

f_i= input frequency in MHz; f_o= output frequency in MHz;

C_L= output load capacitance in pF;

V_CC= supply voltage in V;

Σ(C_L× V_CC²× f_o) = sum of outputs.

11.1. Waveform and test circuit

A input

PHL

PLH

Y output

mna111

Measurement points are given in Table 9.

Fig. 5. Input (A) to output (Y) propagation delays

Table 9. Measurement point

Input

Output

V_I

V_M

GND to V_CC

0.5 × V_CC

XC7SH04

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Product data sheet

Rev. 2 — 26 January 2022

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