Datasheet > XC7SET32GW

XC7SET32GW

更新时间： 2024-01-09 01:46:10

品牌	Logo	应用领域
安世 - NEXPERIA		光电二极管逻辑集成电路
页数	文件大小	规格书
10页	193K
描述
2-input OR gateProduction

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

XC7SET32GW 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TSSOT	包装说明：	1.25 MM, PLASTIC, MO-203, SC-88A, SOT353-1 ,TSSOP-5
针数：	5	Reach Compliance Code：	unknown
HTS代码：	8542.39.00.01	风险等级：	5.84
系列：	AHCT/VHCT/VT	JESD-30 代码：	R-PDSO-G5
JESD-609代码：	e3	长度：	2.05 mm
逻辑集成电路类型：	OR GATE	湿度敏感等级：	1
功能数量：	1	输入次数：	2
端子数量：	5	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSSOP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	峰值回流温度（摄氏度）：	260
传播延迟（tpd）：	10 ns	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.1 mm	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	AUTOMOTIVE	端子面层：	TIN
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.65 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
宽度：	1.25 mm

XC7SET32GW 数据手册

Nexperia

XC7SET32

2-input OR gate

10. Static characteristics

Table 7. Static characteristics

Voltages are referenced to GND (ground = 0 V).

Symbol Parameter

Conditions

25 °C

-40 °C to +85 °C -40 °C to +125 °C Unit

Min Typ Max

Min

Max

Min

Max

V_IH

V_IL

HIGH-level

input voltage

V_CC= 4.5 V to 5.5 V

2.0

LOW-level

0.8

input voltage

V_OH

HIGH-level

output voltage

V_I= V_IHor V_IL; V_CC= 4.5 V

I_O= -50 μA

4.4

4.5

4.4

3.8

4.4

I_O= -8.0 mA

3.94

3.70

V_OL

LOW-level

output voltage

V_I= V_IHor V_IL; V_CC= 4.5 V

I_O= 50 μA

0.1

0.36

0.1

0.44

1.0

0.1

0.55

2.0

I_O= 8.0 mA

I_I

input leakage V_I= 5.5 V or GND;

current V_CC= 0 V to 5.5 V

μA

I_CC

ΔI_CC

supply current V_I= V_CCor GND; I_O= 0 A;

V_CC= 5.5 V

1.0

μA

additional

per input pin; V_I= 3.4 V;

1.35

1.5

supply current other inputs at V_CCor GND;

I_O= 0 A; V_CC= 5.5 V

C_I

input

1.5

capacitance

11. Dynamic characteristics

Table 8. Dynamic characteristics

GND = 0 V. For waveform see Fig. 5. For test circuit see Fig. 6.

Symbol Parameter Conditions

25 °C

-40 °C to +85 °C -40 °C to +125 °C Unit

Min Typ Max

Min

Max

Min

Max

t_pd

propagation A and B to Y;

[1] [2]

[3]

delay

V_CC= 4.5 V to 5.5 V

C_L= 15 pF

3.3

4.8

6.9

7.9

1.0

8.0

9.0

1.0

9.0

C_L= 50 pF

C_PD

power

per buffer; C_L= 50 pF;

dissipation f = 1 MHz;

capacitance V_I= GND to V_CC

[1] t_pdis the same as t_PLHand t_PHL

[2] Typical values are measured at V_CC= 5.0 V.

[3] C_PDis used to determine the dynamic power dissipation P_D(μW).

P_D= C_PD× V_CC²× f_i+ ∑(C_L× V_CC²× f_o) where:

f_i= input frequency in MHz;

f_o= output frequency in MHz;

C_L= output load capacitance in pF;

V_CC= supply voltage in V.

XC7SET32

All information provided in this document is subject to legal disclaimers.

Product data sheet

Rev. 2 — 13 January 2022

4 / 10

1 2 345 6 7...10

下载PDF

与XC7SET32GW相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
XC7SET86	NXP	High-speed Si-gate CMOS device, 2-input EXCLUSIVE-OR function	获取价格
XC7SET86GV	NXP	High-speed Si-gate CMOS device, 2-input EXCLUSIVE-OR function	获取价格
XC7SET86GV	NEXPERIA	2-input EXCLUSIVE-OR gateProduction	获取价格
XC7SET86GW	NXP	High-speed Si-gate CMOS device, 2-input EXCLUSIVE-OR function	获取价格
XC7SET86GW	NEXPERIA	2-input EXCLUSIVE-OR gateProduction	获取价格
XC7SH02	NXP	High-speed Si-gate CMOS device, 2-input NOR function	获取价格

与XC7SET32GW相关文章

SG3525资料手册详解：SG3525参数分析、引脚说明、应用介绍
2024-05-23

5
AT89C51单片机资料手册详细解析及应用示例
2024-05-23

8
CP2102资料手册解读：CP2102引脚说明、关键参数分析
2024-05-23

4
资料手册解读：UC3842参数和管脚说明
2024-05-22

5

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

XC7SET32GW

XC7SET32GW 技术参数

XC7SET32GW 数据手册

与XC7SET32GW相关器件

与XC7SET32GW相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

XC7SET32GW

XC7SET32GW 技术参数

XC7SET32GW 数据手册

与XC7SET32GW相关器件

与XC7SET32GW相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？