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XC7SH02GV

更新时间： 2024-01-09 02:48:45

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		光电二极管逻辑集成电路
页数	文件大小	规格书
11页	74K
描述
High-speed Si-gate CMOS device, 2-input NOR function

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技术参数
数据手册

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XC7SH02GV 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	TSOP,	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8542.39.00.01	风险等级：	5.74
系列：	LV/LV-A/LVX/H	JESD-30 代码：	R-PDSO-G5
JESD-609代码：	e3	长度：	2.9 mm
逻辑集成电路类型：	NOR GATE	湿度敏感等级：	1
功能数量：	1	输入次数：	2
端子数量：	5	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
传播延迟（tpd）：	14.5 ns	座面最大高度：	1.1 mm
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	2 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	AUTOMOTIVE
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.95 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	1.5 mm
Base Number Matches：	1

XC7SH02GV 数据手册

XC7SH02

2-input NOR gate

Rev. 01 — 7 September 2009

Product data sheet

1. General description

XC7SH02 is a high-speed Si-gate CMOS device. It provides a 2-input NOR function.

2. Features

I Symmetrical output impedance

I High noise immunity

I Low power dissipation

I Balanced propagation delays

I SOT353-1 and SOT753 package options

I ESD protection:

N HBM JESD22-A114E: exceeds 2000 V

N MM JESD22-A115-A: exceeds 200 V

N CDM JESD22-C101C: exceeds 1000 V

I Speciﬁed from −40 °C to +125 °C

3. Ordering information

Table 1.

Ordering information

Type number

Package

Temperature range

−40 °C to +125 °C

Name

Description

Version

XC7SH02GW

XC7SH02GV

TSSOP5

plastic thin shrink small outline package;

5 leads; body width 1.25 mm

SOT353-1

−40 °C to +125 °C

SC-74A

plastic surface-mounted package; 5 leads

SOT753

12 3 4 5 6 7...11

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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