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XC7SET04GW

更新时间： 2024-01-20 21:39:17

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安世 - NEXPERIA		光电二极管逻辑集成电路
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InverterProduction

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XC7SET04GW 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	TSSOP,	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8542.39.00.01	风险等级：	5.58
系列：	AHCT/VHCT/VT	JESD-30 代码：	R-PDSO-G5
JESD-609代码：	e3	长度：	2.05 mm
逻辑集成电路类型：	INVERTER	湿度敏感等级：	1
功能数量：	1	输入次数：	1
端子数量：	5	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSSOP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
传播延迟（tpd）：	10 ns	座面最大高度：	1.1 mm
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	AUTOMOTIVE
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.65 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	1.25 mm
Base Number Matches：	1

XC7SET04GW 数据手册

Nexperia

XC7SET04

Inverter

10. Static characteristics

Table 7. Static characteristics

Voltages are referenced to GND (ground = 0 V).

Symbol Parameter

Conditions

25 °C

-40 °C to +85 °C -40 °C to +125 °C Unit

Min Typ Max

Min

Max

Min

Max

V_IH

V_IL

HIGH-level

input voltage

V_CC= 4.5 V to 5.5 V

2.0

LOW-level

0.8

input voltage

V_OH

HIGH-level

output voltage

V_I= V_IHor V_IL; V_CC= 4.5 V

I_O= -50 μA

4.4

4.5

4.4

3.8

4.4

I_O= -8.0 mA

3.94

3.70

V_OL

LOW-level

output voltage

V_I= V_IHor V_IL; V_CC= 4.5 V

I_O= 50 μA

0.1

0.36

0.1

0.44

1.0

0.1

0.55

2.0

I_O= 8.0 mA

I_I

input leakage V_I= 5.5 V or GND;

current V_CC= 0 V to 5.5 V

μA

I_CC

ΔI_CC

supply current V_I= V_CCor GND;

I_O= 0 A;V_CC= 5.5 V

1.0

μA

additional

per input pin; V_I= 3.4 V;

1.35

1.5

supply current other inputs at V_CCor GND;

I_O= 0 A; V_CC= 5.5 V

C_I

input

1.5

capacitance

11. Dynamic characteristics

Table 8. Dynamic characteristics

GND = 0 V. For test circuit see Fig. 6.

Symbol Parameter

Conditions

25 °C

-40 °C to +85 °C -40 °C to +125 °C Unit

Min Typ Max

Min

Max

Min

Max

t_pd

propagation

delay

A to Y;

V_CC= 4.5 V to 5.5 V;

see Fig. 5

[1]

[2]

C_L= 15 pF

C_L= 50 pF

3.4

4.9

6.7

7.7

1.0

7.5

8.5

1.0

8.5

10.0

C_PD

power

per buffer;

[3]

dissipation

capacitance

C_L= 50 pF; f = 1 MHz;

V_I= GND to V_CC

[1] t_pdis the same as t_PLHand t_PHL

[2] Typical values are measured at V_CC= 5.0 V.

[3] C_PDis used to determine the dynamic power dissipation P_D(μW).

P_D= C_PD× V_CC²× f_i+ Σ(C_L× V_CC²× f_o) where:

f_i= input frequency in MHz; f_o= output frequency in MHz;

C_L= output load capacitance in pF;

V_CC= supply voltage in Volts;

N = total load switching outputs;

Σ(C_L× V_CC²× f_o) = sum of outputs.

XC7SET04

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Product data sheet

Rev. 2 — 24 January 2022

4 / 10

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