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XC7SET32GV

更新时间： 2024-02-22 22:19:19

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恩智浦 - NXP		栅极逻辑集成电路光电二极管
页数	文件大小	规格书
11页	74K
描述
High-speed Si-gate CMOS device, 2-input OR function

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技术参数
数据手册

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XC7SET32GV 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TSSOT	包装说明：	1.25 MM, PLASTIC, MO-203, SC-88A, SOT353-1 ,TSSOP-5
针数：	5	Reach Compliance Code：	unknown
HTS代码：	8542.39.00.01	风险等级：	5.84
系列：	AHCT/VHCT/VT	JESD-30 代码：	R-PDSO-G5
JESD-609代码：	e3	长度：	2.05 mm
逻辑集成电路类型：	OR GATE	湿度敏感等级：	1
功能数量：	1	输入次数：	2
端子数量：	5	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSSOP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	峰值回流温度（摄氏度）：	260
传播延迟（tpd）：	10 ns	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.1 mm	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	AUTOMOTIVE	端子面层：	TIN
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.65 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
宽度：	1.25 mm

XC7SET32GV 数据手册

XC7SET32

2-input OR gate

Rev. 01 — 3 September 2009

Product data sheet

1. General description

XC7SET32 is a high-speed Si-gate CMOS device. It provides a 2-input OR function.

2. Features

I Symmetrical output impedance

I High noise immunity

I ESD protection:

N HBM JESD22-A114E: exceeds 2000 V

N MM JESD22-A115-A: exceeds 200 V

N CDM JESD22-C101C: exceeds 1000 V

I Low power dissipation

I Balanced propagation delays

I SOT353-1 and SOT753 package options

I Speciﬁed from −40 °C to +125 °C

3. Ordering information

Table 1.

Ordering information

Type number

Package

Temperature range

−40 °C to +125 °C

Name

Description

Version

XC7SET32GW

XC7SET32GV

TSSOP5

plastic thin shrink small outline package; 5 leads; SOT353-1

body width 1.25 mm

−40 °C to +125 °C

SC-74A

plastic surface-mounted package; 5 leads

SOT753

12 3 4 5 6 7...11

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