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X86C64DMB

更新时间： 2024-09-24 18:51:43

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XICOR		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
9页	601K
描述
EEPROM, 8KX8, 120ns, Parallel, CMOS, CDIP24, HERMETIC SEALED, CERDIP-24

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X86C64DMB 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	DIP, DIP24,.6	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.9	最长访问时间：	120 ns
其他特性：	PAGE WRITE; 10K ENDURANCE WRITE CYCLES; DATA RETENTION=100 YEARS	命令用户界面：	NO
数据轮询：	NO	数据保留时间-最小值：	100
耐久性：	10000 Write/Erase Cycles	JESD-30 代码：	R-GDIP-T24
JESD-609代码：	e0	长度：	32.07 mm
内存密度：	65536 bit	内存集成电路类型：	EEPROM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	24	字数：	8192 words
字数代码：	8000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	8KX8	封装主体材料：	CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码：	DIP	封装等效代码：	DIP24,.6
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
页面大小：	32 words	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
编程电压：	5 V	认证状态：	Not Qualified
筛选级别：	38535Q/M;38534H;883B	座面最大高度：	5.72 mm
最大待机电流：	0.0005 A	子类别：	EEPROMs
最大压摆率：	0.06 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
切换位：	YES	宽度：	15.24 mm
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
X86C64E	XICOR	获取价格	EEPROM, 8KX8, 120ns, Parallel, CMOS, CQCC32, CERAMIC, LCC-32
X86C64EI	XICOR	获取价格	暂无描述
X86C64EM	XICOR	获取价格	EEPROM, 8KX8, 120ns, Parallel, CMOS, CQCC32, CERAMIC, LCC-32
X86C64EMB	XICOR	获取价格	EEPROM, 8KX8, 120ns, Parallel, CMOS, CQCC32, CERAMIC, LCC-32
X86C64P	XICOR	获取价格	E2 Micro-Peripheral
X86C64PI	XICOR	获取价格	E2 Micro-Peripheral
X86C64PM	XICOR	获取价格	E2 Micro-Peripheral
X86C64PMB	XICOR	获取价格	EEPROM, 8KX8, 120ns, Parallel, CMOS, PDIP24, PLASTIC, DIP-24
X86C64S	XICOR	获取价格	E2 Micro-Peripheral
X86C64SI	XICOR	获取价格	E2 Micro-Peripheral