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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | HERMETIC SEALED, CERDIP-28 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.33 | 最长访问时间： | 120 ns |
| 命令用户界面： | NO | 数据轮询： | NO |
| JESD-30 代码： | R-GDIP-T28 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 37.15 mm | 内存密度： | 262144 bit |
| 内存集成电路类型： | EEPROM | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 28 |
| 字数： | 32768 words | 字数代码： | 32000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 组织： | 32KX8 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP28,.6 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 页面大小： | 128 words | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 5 V |
| 编程电压： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 筛选级别： | 38535Q/M;38534H;883B | 座面最大高度： | 5.9 mm |
| 最大待机电流： | 0.0005 A | 子类别： | EEPROMs |
| 最大压摆率： | 0.06 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | MILITARY | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 切换位： | YES | 宽度： | 15.24 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| X88257EI | XICOR |
获取价格 |
EEPROM, 32KX8, 120ns, Parallel, CMOS, CQCC32, CERAMIC, LCC-32 |
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| X88257EIT1 | XICOR |
获取价格 |
EEPROM, 32KX8, 120ns, Parallel, CMOS, CQCC32, CERAMIC, LCC-32 |
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| X88257EMB | XICOR |
获取价格 |
EEPROM, 32KX8, 120ns, Parallel, CMOS, CQCC32, CERAMIC, LCC-32 |
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| X88257EMBT1 | XICOR |
获取价格 |
EEPROM, 32KX8, 120ns, Parallel, CMOS, CQCC32, CERAMIC, LCC-32 |
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| X88257EMT1 | XICOR |
获取价格 |
EEPROM, 32KX8, 120ns, Parallel, CMOS, CQCC32, CERAMIC, LCC-32 |
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| X88257ET1 | XICOR |
获取价格 |
EEPROM, 32KX8, 120ns, Parallel, CMOS, CQCC32, CERAMIC, LCC-32 |
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| X88257J | XICOR |
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E2 Micro-Peripheral |
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| X88257JI | XICOR |
获取价格 |
E2 Micro-Peripheral |
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| X88257JIT1 | XICOR |
获取价格 |
EEPROM, 32KX8, 120ns, Parallel, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 |
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| X88257JM | XICOR |
获取价格 |
E2 Micro-Peripheral |
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