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X88257EMB

更新时间： 2024-09-24 19:13:15

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XICOR		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
10页	291K
描述
EEPROM, 32KX8, 120ns, Parallel, CMOS, CQCC32, CERAMIC, LCC-32

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X88257EMB 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	CERAMIC, LCC-32	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.35	最长访问时间：	120 ns
命令用户界面：	NO	数据轮询：	NO
JESD-30 代码：	R-CQCC-N32	JESD-609代码：	e0
长度：	13.97 mm	内存密度：	262144 bit
内存集成电路类型：	EEPROM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	32
字数：	32768 words	字数代码：	32000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	32KX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：	QCCN	封装等效代码：	LCC32,.45X.55
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	CHIP CARRIER
页面大小：	128 words	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
编程电压：	5 V	认证状态：	Not Qualified
筛选级别：	38535Q/M;38534H;883B	座面最大高度：	3.048 mm
最大待机电流：	0.0005 A	子类别：	EEPROMs
最大压摆率：	0.06 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
切换位：	YES	宽度：	11.43 mm
Base Number Matches：	1

12 3 4 5 6 7...10

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
X88257EMBT1	XICOR	获取价格	EEPROM, 32KX8, 120ns, Parallel, CMOS, CQCC32, CERAMIC, LCC-32
X88257EMT1	XICOR	获取价格	EEPROM, 32KX8, 120ns, Parallel, CMOS, CQCC32, CERAMIC, LCC-32
X88257ET1	XICOR	获取价格	EEPROM, 32KX8, 120ns, Parallel, CMOS, CQCC32, CERAMIC, LCC-32
X88257J	XICOR	获取价格	E2 Micro-Peripheral
X88257JI	XICOR	获取价格	E2 Micro-Peripheral
X88257JIT1	XICOR	获取价格	EEPROM, 32KX8, 120ns, Parallel, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
X88257JM	XICOR	获取价格	E2 Micro-Peripheral
X88257JT1	XICOR	获取价格	EEPROM, 32KX8, 120ns, Parallel, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
X88257P	XICOR	获取价格	E2 Micro-Peripheral
X88257PI	XICOR	获取价格	E2 Micro-Peripheral