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X28HC64DMB-55

更新时间： 2024-01-23 13:47:00

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XICOR		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
15页	403K
描述
EEPROM, 8KX8, 55ns, Parallel, CMOS, CDIP28, HERMETIC SEALED, CERDIP-28

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X28HC64DMB-55 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	DIP, DIP28,.6	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.75	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	55 ns	其他特性：	SOFTWARE DATA PROTECTION; 64 BYTE PAGE WRITE; 100 YEARS DATA RETENTION
命令用户界面：	NO	数据轮询：	YES
数据保留时间-最小值：	100	耐久性：	100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：	R-GDIP-T28	JESD-609代码：	e0
长度：	37.15 mm	内存密度：	65536 bit
内存集成电路类型：	EEPROM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	28
字数：	8192 words	字数代码：	8000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	8KX8
封装主体材料：	CERAMIC, GLASS-SEALED	封装代码：	DIP
封装等效代码：	DIP28,.6	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	页面大小：	64 words
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5 V	编程电压：	5 V
认证状态：	Not Qualified	筛选级别：	38535Q/M;38534H;883B
座面最大高度：	7.24 mm	最大待机电流：	0.0002 A
子类别：	EEPROMs	最大压摆率：	0.04 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	切换位：	YES
宽度：	15.24 mm	最长写入周期时间 (tWC)：	5 ms
Base Number Matches：	1

12 3 4 5 6 7...15

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
X28HC64DMB-70	INTERSIL	获取价格	5 Volt, Byte Alterable EEPROM
X28HC64DMB-70	XICOR	获取价格	5 Volt, Byte Alterable E2PROM
X28HC64DMB-70	RENESAS	获取价格	8KX8 EEPROM 5V, 70ns, CDIP28, CERDIP-28
X28HC64DMB-90	RENESAS	获取价格	8KX8 EEPROM 5V, 90ns, CDIP28, HERMETIC SEALED, CERDIP-28
X28HC64DMB-90	XICOR	获取价格	5 Volt, Byte Alterable E2PROM
X28HC64DMB-90	INTERSIL	获取价格	5 Volt, Byte Alterable EEPROM
X28HC64E-12	XICOR	获取价格	5 Volt, Byte Alterable E2PROM
X28HC64E-12T1	XICOR	获取价格	EEPROM, 8KX8, 120ns, Parallel, CMOS, CQCC32, CERAMIC, LCC-32
X28HC64E-50	XICOR	获取价格	5 Volt, Byte Alterable E2PROM
X28HC64E-70	XICOR	获取价格	5 Volt, Byte Alterable E2PROM