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X28HC64DMB-90

更新时间： 2024-01-17 01:26:32
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
16页 301K
描述
8KX8 EEPROM 5V, 90ns, CDIP28, HERMETIC SEALED, CERDIP-28

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X28HC64DMB-90 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：DIP, DIP28,.6Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.19Is Samacsys：N
最长访问时间：90 ns其他特性：SOFTWARE DATA PROTECTION; 64 BYTE PAGE WRITE; 100 YEARS DATA RETENTION
命令用户界面：NO数据轮询：YES
数据保留时间-最小值：100耐久性：100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：R-GDIP-T28JESD-609代码：e0
长度：37.15 mm内存密度：65536 bit
内存集成电路类型：EEPROM内存宽度：8
功能数量：1端子数量：28
字数：8192 words字数代码：8000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-55 °C组织：8KX8
输出特性：3-STATE封装主体材料：CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码：DIP封装等效代码：DIP28,.6
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
页面大小：64 words并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：5 V
编程电压：5 V认证状态：Not Qualified
筛选级别：38535Q/M;38534H;883B座面最大高度：7.24 mm
最大待机电流：0.0002 A子类别：EEPROMs
最大压摆率：0.04 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：NO技术：CMOS
温度等级：MILITARY端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子节距：2.54 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
切换位：YES宽度：15.24 mm
最长写入周期时间 (tWC)：5 msBase Number Matches：1

X28HC64DMB-90 数据手册

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X28HC64  
®
64K, 8K x 8 Bit  
Data Sheet  
June 1, 2005  
FN8109.0  
• High reliability  
—Endurance: 1 million cycles  
—Data retention: 100 years  
5 Volt, Byte Alterable EEPROM  
FEATURES  
• JEDEC approved byte-wide pin out  
• 70ns access time  
• Simple byte and page write  
—Single 5V supply  
—No external high voltages or V control circuits  
—Self-timed  
—No erase before write  
—No complex programming algorithms  
—No overerase problem  
• Low power CMOS  
DESCRIPTION  
The X28HC64 is an 8K x 8 EEPROM, fabricated with  
Intersil’s proprietary, high performance, floating gate  
CMOS technology. Like all Intersil programmable non-  
volatile memories, the X28HC64 is a 5V only device. It  
features the JEDEC approved pinto for byte-wide mem-  
ories, compatible with industry standard RAMs.  
PP  
—40mA active current max.  
—200µA standby current max.  
• Fast write cycle times  
—64-byte page write operation  
—Byte or page write cycle: 2ms typical  
—Complete memory rewrite: 0.25 sec. typical  
—Effective byte write cycle time: 32µs typical  
• Software data protection  
• End of write detection  
The X28HC64 supports a 64-byte page write operation,  
effectively providing a 32µs/byte write cycle, and  
enabling the entire memory to be typically written in 0.25  
seconds. The X28HC64 also features DATA Polling and  
Toggle Bit Polling, two methods providing early end of  
write detection. In addition, the X28HC64 includes a  
user-optional software data protection mode that further  
enhances Intersil’s hardware write protect capability.  
—DATA polling  
—Toggle bit  
Intersil EEPROMs are designed and tested for appli-  
cations requiring extended endurance. Inherent data  
retention is greater than 100 years.  
PIN CONFIGURATIONS  
TSOP  
LCC  
PLCC  
Plastic DIP  
A
A
A
I/O  
I/O  
I/O  
NC  
SS  
NC  
I/O  
I/O  
I/O  
A
A
A
A
A
A
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
Flat Pack  
CERDIP  
SOIC  
3
4
5
6
7
2
1
0
0
1
2
1
28  
27  
26  
25  
24  
23  
VCC  
NC  
A12  
A7  
4
3
2
1
32 31 30  
12  
2
NC  
NC  
V
WE  
NC  
A8  
V
A6  
A5  
A4  
A3  
A2  
A1  
A0  
5
29  
A8  
A9  
X28HC64  
3
CC  
6
7
28  
27  
NC  
WE  
NC  
4
A6  
3
4
5
6
7
A11  
NC  
OE  
A10  
22  
21  
5
A9  
A5  
8
9
26  
25  
A
A
9
A
I/O  
I/O  
20  
19  
18  
17  
8
6
A11  
A4  
X28HC64  
(Top View)  
7
X28HC64 22  
A3  
OE  
A10  
CE  
11  
10  
11  
24  
23  
A
OE  
10  
8
21  
20  
19  
18  
17  
16  
15  
A2  
CE  
9
A1  
CE  
I/O7  
I/O6  
12  
13  
22  
21  
NC  
10  
11  
12  
13  
14  
I/O7  
I/O6  
I/O5  
I/O4  
I/O3  
A0  
I/O0  
PGA  
14 15 16 17 18 19 20  
I/O0  
I/O1  
I/O1  
12  
I/O2  
13  
I/O3  
15  
I/O5  
I/O4  
I/O6  
18  
17  
I/O2  
VSS  
I/O0  
11  
A0  
10  
VSS  
14  
I/O7  
19  
16  
A1  
A3  
A2  
8
CE  
20  
A10  
21  
9
7
5
X28HC64  
A4  
6
OE  
22  
A11  
23  
(BOTTOM  
VIEW)  
A5  
A6  
A12  
2
VCC  
28  
A9  
24  
A8  
25  
A7  
3
WE  
27  
NC  
26  
NC  
1
4
Bottom View  
CAUTION: These devices are sensitive to electrostatic discharge; follow proper IC Handling Procedures.  
1
1-888-INTERSIL or 1-888-468-3774 | Intersil (and design) is a registered trademark of Intersil Americas Inc.  
Copyright Intersil Americas Inc. 2005. All Rights Reserved  
All other trademarks mentioned are the property of their respective owners.  
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与X28HC64DMB-90相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
X28HC64E-12 XICOR

获取价格

 		5 Volt, Byte Alterable E2PROM
X28HC64E-12T1 XICOR

获取价格

 		EEPROM, 8KX8, 120ns, Parallel, CMOS, CQCC32, CERAMIC, LCC-32
X28HC64E-50 XICOR

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 		5 Volt, Byte Alterable E2PROM
X28HC64E-70 XICOR

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 		5 Volt, Byte Alterable E2PROM
X28HC64E-70T1 XICOR

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 		EEPROM, 8KX8, 70ns, Parallel, CMOS, CQCC32, CERAMIC, LCC-32
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