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X28HC256K-12

更新时间： 2024-11-23 20:13:59

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瑞萨 - RENESAS		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器内存集成电路
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32KX8 EEPROM 5V, 120ns, CPGA28, CERAMIC, PGA-28

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X28HC256K-12 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	PGA	包装说明：	PGA, PGA28,5X6
针数：	28	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.69	最长访问时间：	120 ns
其他特性：	100000 ENDURANCE WRITE CYCLES; 100 YEARS DATA RETENTION	命令用户界面：	NO
数据轮询：	YES	数据保留时间-最小值：	100
耐久性：	1000000 Write/Erase Cycles	JESD-30 代码：	R-CPGA-P28
JESD-609代码：	e0	长度：	16.51 mm
内存密度：	262144 bit	内存集成电路类型：	EEPROM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	28	字数：	32768 words
字数代码：	32000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	32KX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装代码：	PGA
封装等效代码：	PGA28,5X6	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY	页面大小：	128 words
并行/串行：	PARALLEL	电源：	5 V
编程电压：	5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	4.62 mm	最大待机电流：	0.0005 A
子类别：	EEPROMs	最大压摆率：	0.06 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	PIN/PEG
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	PERPENDICULAR
切换位：	YES	宽度：	14 mm
最长写入周期时间 (tWC)：	5 ms	Base Number Matches：	1

X28HC256K-12 数据手册

X28HC256

256K, 32K x 8 Bit

Data Sheet

June 1, 2005

FN8108.0

DESCRIPTION

5 Volt, Byte Alterable EEPROM

The X28HC256 is a second generation high perfor-

mance CMOS 32K x 8 EEPROM. It is fabricated with

Intersil’s proprietary, textured poly floating gate tech-

nology, providing a highly reliable 5 Volt only nonvola-

tile memory.

FEATURES

• Access time: 70ns

• Simple byte and page write

—Single 5V supply

—No external high voltages or V control circuits

—Self-timed

—No erase before write

—No complex programming algorithms

—No overerase problem

• Low power CMOS

—Active: 60mA

—Standby: 500µA

• Software data protection

—Protects data against system level inadvertent

writes

The X28HC256 supports a 128-byte page write opera-

tion, effectively providing a 24µs/byte write cycle, and

enabling the entire memory to be typically rewritten in

less than 0.8 seconds. The X28HC256 also features

DATA Polling and Toggle Bit Polling, two methods of

providing early end of write detection. The X28HC256

also supports the JEDEC standard Software Data Pro-

tection feature for protecting against inadvertent writes

during power-up and power-down.

Endurance for the X28HC256 is specified as a mini-

mum 1,000,000 write cycles per byte and an inherent

data retention of 100 years.

• High speed page write capability

™

• Highly reliable Direct Write cell

—Endurance: 1,000,000 cycles

—Data retention: 100 years

• Early end of write detection

—DATA polling

—Toggle bit polling

BLOCK DIAGRAM

256Kbit

EEPROM

Array

X Buffers

Latches and

Decoder

A₀–A₁₄

Address

Inputs

I/O Buffers

and Latches

Y Buffers

Latches and

DECODER

I/O₀–I/O₇

Data Inputs/Outputs

Control

Logic and

Timing

V_CC

V_SS

CAUTION: These devices are sensitive to electrostatic discharge; follow proper IC Handling Procedures.

1-888-INTERSIL or 1-888-468-3774 | Intersil (and design) is a registered trademark of Intersil Americas Inc.

All other trademarks mentioned are the property of their respective owners.

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