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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | DIP, DIP28,.6 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.69 | 最长访问时间： | 120 ns |
| 其他特性： | 100000 ENDURANCE WRITE CYCLES; 100 YEARS DATA RETENTION | 命令用户界面： | NO |
| 数据轮询： | YES | 数据保留时间-最小值： | 100 |
| 耐久性： | 100000 Write/Erase Cycles | JESD-30 代码： | R-GDIP-T28 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 37.15 mm |
| 内存密度： | 262144 bit | 内存集成电路类型： | EEPROM |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 28 | 字数： | 32768 words |
| 字数代码： | 32000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 组织： | 32KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | CERAMIC, GLASS-SEALED | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP28,.6 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 页面大小： | 128 words |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 5 V | 编程电压： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 7.24 mm |
| 最大待机电流： | 0.0005 A | 子类别： | EEPROMs |
| 最大压摆率： | 0.08 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | MILITARY | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 切换位： | YES | 宽度： | 15.24 mm |
| 最长写入周期时间 (tWC)： | 5 ms | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| X28HC256DM-15 | XICOR | 5 Volt, Byte Alterable E2PROM |
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| X28HC256DM-15 | INTERSIL | 5 Volt, Byte Alterable EEPROM |
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| X28HC256DM-70 | XICOR | 5 Volt, Byte Alterable E2PROM |
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| X28HC256DM-70 | INTERSIL | 5 Volt, Byte Alterable EEPROM |
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| X28HC256DM-90 | XICOR | 5 Volt, Byte Alterable E2PROM |
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| X28HC256DM-90 | ROCHESTER | LOW POWER CMOS EEPROM with hi-speed page write capability 256K EEPROM |
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