是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | DIP, DIP28,.6 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.69 | 最长访问时间: | 70 ns |
其他特性: | 100000 ENDURANCE WRITE CYCLES; 100 YEARS DATA RETENTION | 命令用户界面: | NO |
数据轮询: | YES | 数据保留时间-最小值: | 100 |
耐久性: | 1000000 Write/Erase Cycles | JESD-30 代码: | R-GDIP-T28 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 37.15 mm |
内存密度: | 262144 bit | 内存集成电路类型: | EEPROM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 28 | 字数: | 32768 words |
字数代码: | 32000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
组织: | 32KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | CERAMIC, GLASS-SEALED | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP28,.6 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 页面大小: | 128 words |
并行/串行: | PARALLEL | 电源: | 5 V |
编程电压: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
筛选级别: | 38535Q/M;38534H;883B | 座面最大高度: | 7.24 mm |
最大待机电流: | 0.0005 A | 子类别: | EEPROMs |
最大压摆率: | 0.06 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | MILITARY | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 切换位: | YES |
宽度: | 15.24 mm | 最长写入周期时间 (tWC): | 5 ms |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
X28HC256DMB-90 | XICOR |
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5 Volt, Byte Alterable E2PROM | |
X28HC256DMB-90 | ROCHESTER |
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LOW POWER CMOS EEPROM with hi-speed page write capability 256K EEPROM | |
X28HC256DMB-90 | RENESAS |
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32KX8 EEPROM 5V, 90ns, CDIP28, CERDIP-28 | |
X28HC256DMB-90 | INTERSIL |
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5 Volt, Byte Alterable EEPROM | |
X28HC256E-12 | XICOR |
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5 Volt, Byte Alterable E2PROM | |
X28HC256E-12 | INTERSIL |
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5 Volt, Byte Alterable EEPROM | |
X28HC256E-15 | INTERSIL |
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5 Volt, Byte Alterable EEPROM | |
X28HC256E-15 | XICOR |
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5 Volt, Byte Alterable E2PROM | |
X28HC256E-15T1 | XICOR |
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EEPROM, 32KX8, 150ns, Parallel, CMOS, CQCC32, CERAMIC, LCC-32 | |
X28HC256E-70 | XICOR |
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5 Volt, Byte Alterable E2PROM |