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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | XBGA-8 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.88 | 最大时钟频率 (fCLK)： | 5 MHz |
| 数据保留时间-最小值： | 100 | 耐久性： | 100000 Write/Erase Cycles |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B8 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 4.048 mm | 内存密度： | 65536 bit |
| 内存集成电路类型： | EEPROM | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 8 |
| 字数： | 8192 words | 字数代码： | 8000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 8KX8 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | VBGA |
| 封装等效代码： | BGA8,2X4,48/40 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE | 并行/串行： | SERIAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 0.675 mm |
| 串行总线类型： | SPI | 最大待机电流： | 0.000001 A |
| 子类别： | EEPROMs | 最大压摆率： | 0.005 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 1 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 2.118 mm |
| 最长写入周期时间 (tWC)： | 10 ms | 写保护： | HARDWARE/SOFTWARE |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| X25650ZI-2.5 | ETC |
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SPI Serial EEPROM |
|
| X25650ZI-2.7 | XICOR |
获取价格 |
EEPROM, 8KX8, Serial, CMOS, |
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| X2570-12 | AMPHENOL |
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RF Mesh Networking technology provides reliable real time process data. Uses global 2.4 GH |
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| X2570-18 | AMPHENOL |
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| X2570-20B | AMPHENOL |
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| X2570-36 | AMPHENOL |
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| X2570S-L | AMPHENOL |
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| X2571-12 | AMPHENOL |
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| X2571-18 | AMPHENOL |
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| X2571-20B | AMPHENOL |
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