是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | PLASTIC, SOIC-8 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.88 | 其他特性: | 2 WIRE INTERFACE;PAGE WRITE |
最大时钟频率 (fCLK): | 0.1 MHz | 数据保留时间-最小值: | 100 |
耐久性: | 100000 Write/Erase Cycles | I2C控制字节: | 1010DMMR |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 4.9 mm | 内存密度: | 8192 bit |
内存集成电路类型: | EEPROM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 8 |
字数: | 1024 words | 字数代码: | 1000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 组织: | 1KX8 |
输出特性: | OPEN-DRAIN | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | SOP | 封装等效代码: | SOP8,.25 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
并行/串行: | SERIAL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 3/5 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.75 mm | 串行总线类型: | I2C |
最大待机电流: | 0.00005 A | 子类别: | EEPROMs |
最大压摆率: | 0.003 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 2.7 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | MILITARY | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 3.9 mm | 最长写入周期时间 (tWC): | 10 ms |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
X24C08S8M-3 | ICMIC |
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Serial E2PROM | |
X24C08S8M-3 | XICOR |
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Serial E2PROM | |
X24C08S8M-3.5 | XICOR |
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Serial E2PROM | |
X24C08S8M-3.5 | ICMIC |
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Serial E2PROM | |
X24C08S8MG | ICMIC |
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Serial E2PROM | |
X24C08S8MG-2.7 | ICMIC |
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Serial E2PROM | |
X24C08S8MG-3 | ICMIC |
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Serial E2PROM | |
X24C08S8MG-3.5 | ICMIC |
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Serial E2PROM | |
X24C08S8MT1 | XICOR |
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EEPROM, 1KX8, Serial, CMOS, PDSO8, PLASTIC, SOIC-8 | |
X24C08S8T1 | XICOR |
获取价格 |
EEPROM, 1KX8, Serial, CMOS, PDSO8, PLASTIC, SOIC-8 |