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X20C04SI

更新时间: 2024-02-12 22:04:35
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10页 513K
描述
NVRAM (EEPROM Based)

X20C04SI 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:PLASTIC, SOIC-28Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.89最长访问时间:300 ns
其他特性:EEPROM SOFTWARE STORE/RECALL; RETENTION/ENDURANCE - 100 YEARS/100000 CYCLESJESD-30 代码:R-PDSO-G28
JESD-609代码:e0内存密度:4096 bit
内存集成电路类型:NON-VOLATILE SRAM内存宽度:8
功能数量:1端口数量:1
端子数量:28字数:512 words
字数代码:512工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
组织:512X8可输出:YES
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOP
封装等效代码:SOP28,.45封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:5 V
认证状态:Not Qualified最大待机电流:0.00025 A
子类别:SRAMs最大压摆率:0.1 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:MILITARY
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

X20C04SI 数据手册

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