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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | 40 MM, CERAMIC, QFP-116 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.82 | 最长访问时间： | 25 ns |
| 其他特性： | CONFIGURABLE AS 512K X 48 | 备用内存宽度： | 8 |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | S-CQFP-F116 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 39.6 mm |
| 内存密度： | 25165824 bit | 内存集成电路类型： | SRAM MODULE |
| 内存宽度： | 48 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 116 | 字数： | 524288 words |
| 字数代码： | 512000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 512KX48 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装代码： | QFF |
| 封装等效代码： | QFL116,1.56SQ | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | FLATPACK | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 5.08 mm |
| 最大待机电流： | 0.042 A | 最小待机电流： | 2 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.81 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | FLAT |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 39.6 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| WS512K48-35G4WC | WEDC | SRAM Module, 512KX48, 35ns, CMOS, CQFP116, 40 MM, CERAMIC, QFP-116 |
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| WS512K48-35G4WI | WEDC | SRAM Module, 512KX48, 35ns, CMOS, CQFP116, 40 MM, CERAMIC, QFP-116 |
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| WS512K48-35G4WM | WEDC | SRAM Module, 512KX48, 35ns, CMOS, CQFP116, 40 MM, CERAMIC, QFP-116 |
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| WS512K48L-17G4WI | WEDC | SRAM Module, 512KX48, 17ns, CMOS, CQFP116, CERAMIC, QFP-116 |
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| WS512K48L-17G4WM | WEDC | SRAM, |
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| WS512K48L-20G4WC | WEDC | SRAM, |
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