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WS512K8-120CIE

更新时间: 2024-02-18 05:03:24
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其他 - ETC 内存集成电路静态存储器
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6页 177K
描述
x8 SRAM Module

WS512K8-120CIE 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.62
最长访问时间:120 nsJESD-30 代码:R-CDMA-T32
内存密度:4194304 bit内存集成电路类型:SRAM MODULE
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:32字数:524288 words
字数代码:512000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
组织:512KX8封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:MILITARY
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

WS512K8-120CIE 数据手册

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