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WS-512K8-120CC

更新时间: 2024-02-23 14:08:44
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其他 - ETC 静态存储器
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5页 143K
描述
x8 SRAM Module

WS-512K8-120CC 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.68
Is Samacsys:N最长访问时间:120 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDIP-T32
JESD-609代码:e0内存密度:4194304 bit
内存集成电路类型:SRAM MODULE内存宽度:8
端子数量:32字数:524288 words
字数代码:512000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:512KX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIP
封装等效代码:DIP32,.6封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
电源:5 V认证状态:Not Qualified
子类别:SRAMs标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:HYBRID
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

WS-512K8-120CC 数据手册

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