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WS512K32L-17G1TQA

更新时间： 2023-08-15 00:00:00
品牌 Logo 应用领域
WEDC 静态存储器
页数 文件大小 规格书
13页 485K
描述
SRAM Module, 512KX32, 17ns, CMOS, CQFP68, 23.90 X 23.90 MM, 4.06 MM HEIGHT, HERMETIC SEALED, CERAMIC, QFP-68

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WS512K32L-17G1TQA 数据手册

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WS512K32-XXX  
White Electronic Designs  
AC CHARACTERISTICS  
(VCC = 5ꢀ0V, VSS = 0V, TA = -55°C TO +125°C)  
Parameter  
Symbol  
-15*  
-17  
-20  
-25  
-35  
-45  
-55  
Units  
Read Cycle  
Min Max Min Max Min Max Min Max Min Max Min Max Min Max  
Read Cycle Time  
tRC  
tAA  
15  
0
17  
0
20  
0
25  
0
35  
0
45  
0
55  
0
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
Address Access Time  
15  
17  
20  
25  
35  
45  
55  
Output Hold from Address Change tOH  
Chip Select Access Time  
tACS  
tOE  
tCLZ1  
15  
8
17  
9
20  
10  
25  
12  
35  
25  
45  
25  
55  
25  
Output Enable to Output Valid  
Chip Select to Output in Low Z  
2
0
2
0
2
0
2
0
2
2
4
0
4
0
4
0
Output Enable to Output in Low Z tOLZ1  
Chip Disable to Output in High Z tCHZ1  
Output Disable to Output in High Z tOHZ1  
1
1
2
2
1
1
1
2
2
1
1
2
2
1
1
1
*15ns Access Time available only in Commercial and Industrial Temperatureꢀ This speed is not fully characterized and is subject to change  
without noticeꢀ  
1ꢀ This parameter is guaranteed by design but not testedꢀ  
AC CHARACTERISTICS  
(VCC = 5ꢀ0V, VSS = 0V, TA = -55°C TO +125°C)  
Parameter  
Symbol  
-15*  
-17  
-20  
-25  
-35  
-45  
-55  
Units  
Write Cycle  
Min Max Min Max Min Max Min Max Min Max Min Max Min Max  
Write Cycle Time  
tWC  
tCW  
tAW  
tDW  
tWP  
tAS  
1
1
1
1
1
5
3
3
0
3
1
1
1
1
1
7
5
5
1
5
20  
1
25  
35  
45  
55  
Chip Select to End of Write  
Address Valid to End of Write  
Data Valid to End of Write  
Write Pulse Width  
5
5
1
1
7
7
25  
25  
1
1
2
1
3
2
1
5
1
7
25  
ns  
Address Setup Time  
Address Hold Time  
2
2
0
2
2
0
3
2
0
4
2
0
4
2
5
5
1
0
2
5
5
tAH  
0
2
ns  
ns  
Output Active from End of Write tOW1  
Write Enable to Output in High Z  
Data Hold Time  
tWHZ1  
8
9
1
1
3
1
5
tDH  
0
0
0
0
0
0
ns  
*15ns Access Time available only in Commercial and Industrial Temperatureꢀ This speed is not fully characterized and is subject to change  
without noticeꢀ  
1ꢀ This parameter is guaranteed by design but not testedꢀ  
2ꢀ The Address Setup Time of minimum 2ns is for the G2U, G1U and H1 packagesꢀ tAS minimum for the G4T package is 0nsꢀ  
FIGꢀ 4 AC TEST CIRCUIT  
AC TEST CONDITIONS  
Parameter  
Typ  
Unit  
V
Input Pulse Levels  
VIL = 0, VIH = 3ꢀ0  
Input Rise and Fall  
5
ns  
V
Input and Output Reference Level  
Output Timing Reference Level  
1ꢀ5  
1ꢀ5  
V
Notes:  
VZ is programmable from -2V to +7Vꢀ  
IOL & IOH programmable from 0 to 16mAꢀ  
Tester Impedance Z0 = 75 ýꢀ  
VZ is typically the midpoint of VOH and VOLꢀ  
IOL & IOH are adjusted to simulate a typical resistive load circuitꢀ  
ATE tester includes jig capacitanceꢀ  
White Electronic Designs Corporation • Phoenix AZ • (602) 437-1520  
4
1234567...13

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与WS512K32L-17G1TQA相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
WS512K32L-17G1UC WEDC SRAM Module, 512KX32, 17ns, CMOS, CQFP68, 23.90 X 23.90 MM, 3.57 MM HEIGHT, HERMETIC SEALE

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WS512K32L-17G1UI WEDC SRAM Module, 512KX32, 17ns, CMOS, CQFP68, 23.90 X 23.90 MM, 3.57 MM HEIGHT, HERMETIC SEALE

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