Datasheet > WS1M8L-45DJI

WS1M8L-45DJI

更新时间： 2024-02-11 05:24:34

品牌	Logo	应用领域
WEDC		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
6页	162K
描述
SRAM,

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

WS1M8L-45DJI 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	CERAMIC, SOJ-36
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.62
最长访问时间：	45 ns	JESD-30 代码：	R-CDSO-J36
内存密度：	8388608 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	36	字数：	1048576 words
字数代码：	1000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	1MX8	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
并行/串行：	PARALLEL	认证状态：	Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	J BEND	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

WS1M8L-45DJI 数据手册

WS1M8-XXX

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

TRUTH TABLE

Parameter

Symbol

T^A

Min

-55

-65

-0.5

Max

+125

+150

Vcc+0.5

150

Unit

°C

Mode

Standby

Read

Write

Out Disable

Data I/O

High Z

Data Out

Data In

High Z

Power

Standby

Active

Operating Temperature

Storage Temperature

Signal Voltage Relative to GND

Junction Temperature

Supply Voltage

T^STG

V^G

T^J

°C

NOTE: OE is internally tied to the GND and not accessible on the WS1M8-XCX.

V^CC

-0.5

7.0

CAPACITANCE

(TA = +25°C)

RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS

Parameter

Symbol

V^CC

Min

4.5

Max

5.5

Unit

Parameter

Symbol

CIN

Condition

Max Unit

Supply Voltage

Input capacitance

Output capicitance

IN = 0V, f = 1.0MHz

Input High Voltage

Input Low Voltage

Operating Temp. (Mil.)

V^IH

2.2

VCC + 0.3

+0.8

C^OUT

VOUT = 0V, f = 1.0MHz

V^IL

-0.3

-55

This parameter is guaranteed by design but not tested.

T^A

+125

°C

DC CHARACTERISTICS

(VCC = 5.0V, VSS = 0V, TA = -55°C to +125°C)

Parameter

Sym

Conditions

Units

Min

Max

Input Leakage Current

Output Leakage Current

Operating Supply Current

Standby Current

ILI

VCC = 5.5, VIN = GND to VCC

CS = VIH, OE = VIH, VOUT = GND to VCC

CS = VIL, OE = VIH, f = 5MHz, Vcc = 5.5

CS = VIH, OE = VIH, f = 5MHz, Vcc = 5.5

IOL = 8mA

µA

ILO

ICC

ISB

180

Output Low Voltage

Output High Voltage

VOL

V^OH

0.4

IOH = -4.0mA

2.4

NOTE: DC test conditions: VIH = VCC -0.3V , VIL = 0.3V

1. OE is internally tied to the GND and not accessible on the WS1M8-XCX.

LOW POWER DATA RETENTION CHARACTERISTICS (WS1M8L-XXX ONLY)

(TA = -55°C to +125°C)

Parameter

Symbol

Conditions

Units

Min

Typ

Max

5.5

Data Retention Supply Voltage

Data Retention Current

V^DR

CS ≥ VCC -0.2V

2.0

I^CCDR1

VCC = 3V

3.0

18.0*

White Electronic Designs Corporation • (602) 437-1520 • www.whiteedc.com

123 4 5 6

下载PDF

与WS1M8L-45DJI相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
WS1M8L-45DJIA	WEDC	SRAM,	获取价格
WS1M8L-45DJM	WEDC	SRAM,	获取价格
WS1M8L-45DJMA	WEDC	SRAM,	获取价格
WS1M8L-45FC	WEDC	Standard SRAM, 1MX8, 45ns, CMOS, CDFP36, CERAMIC, FP-36	获取价格
WS1M8L-45FM	WEDC	SRAM,	获取价格
WS1M8L-45FMA	WEDC	SRAM,	获取价格