是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | DIP, DIP32,.6 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.82 | 最长访问时间: | 35 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-XDIP-T32 |
JESD-609代码: | e0 | 内存密度: | 1048576 bit |
内存集成电路类型: | SRAM MODULE | 内存宽度: | 8 |
端子数量: | 32 | 字数: | 131072 words |
字数代码: | 128000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
组织: | 128KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | CERAMIC | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP32,.6 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 并行/串行: | PARALLEL |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
筛选级别: | 38535Q/M;38534H;883B | 最大待机电流: | 0.002 A |
最小待机电流: | 2 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.11 mA | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | HYBRID |
温度等级: | MILITARY | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
WS128K8-35CQE | WEDC | SRAM Module, 128KX8, 35ns, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, SINGLE CAVITY, SIDE BRAZED, CERAMIC, |
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WS128K8-35CQEA | WEDC | SRAM Module, 128KX8, 35ns, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, SINGLE CAVITY, SIDE BRAZED, CERAMIC, |
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WS-128K8-45CC | ETC | x8 SRAM Module |
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WS128K8-45CC | WEDC | SRAM Module, 128KX8, 45ns, Hybrid, CDIP32, |
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WS128K8-45CCE | WEDC | SRAM Module, 128KX8, 45ns, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, SINGLE CAVITY, SIDE BRAZED, CERAMIC, |
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WS128K8-45CCEA | WEDC | SRAM Module, 128KX8, 45ns, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, SINGLE CAVITY, SIDE BRAZED, CERAMIC, |
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