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WS128K8-35CMEA

更新时间： 2024-02-26 09:21:49

品牌	Logo	应用领域
WEDC		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
4页	107K
描述
SRAM Module, 128KX8, 35ns, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, SINGLE CAVITY, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32

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WS128K8-35CMEA 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	0.600 INCH, SINGLE CAVITY, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.82	最长访问时间：	35 ns
其他特性：	BATTERY BACK-UP OPERATION	JESD-30 代码：	R-CDIP-T32
长度：	42.4 mm	内存密度：	1048576 bit
内存集成电路类型：	SRAM MODULE	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	32
字数：	131072 words	字数代码：	128000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	128KX8
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装代码：	DIP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	5.1 mm
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	15.24 mm	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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