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| 生命周期： | Transferred | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.55 | 最长访问时间： | 25 ns |
| 其他特性： | USER CONFIGURABLE AS 128K X 32 | 备用内存宽度： | 16 |
| JESD-30 代码： | S-CHIP-P66 | 内存密度： | 4194304 bit |
| 内存集成电路类型： | SRAM MODULE | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 66 | 字数： | 524288 words |
| 字数代码： | 512000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 组织： | 512KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 可输出： | YES | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 最小待机电流： | 2 V | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | MILITARY | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | HEX | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| WS128K32N-25HQ | ETC |
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x32 SRAM Module |
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| WS128K32N-25HQE | WEDC |
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SRAM Module, 512KX8, 25ns, CMOS, CPGA66, 1.185 X 1.185 INCH, HERMETIC SEALED, CERAMIC, HIP |
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| WS128K32N-25HSIE | WEDC |
获取价格 |
SRAM Module, 512KX8, 25ns, CMOS, CPGA66, 1.185 X 1.185 INCH, HERMETIC SEALED, CERAMIC, HIP |
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| WS128K32N-25HSQE | WEDC |
获取价格 |
SRAM Module, 512KX8, 25ns, CMOS, CPGA66, 1.185 X 1.185 INCH, HERMETIC SEALED, CERAMIC, HIP |
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| WS128K32N-35G1TC | WEDC |
获取价格 |
SRAM, |
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| WS128K32N-35G1TCA | WEDC |
获取价格 |
SRAM, |
|
| WS128K32N-35G2LM | WEDC |
获取价格 |
SRAM Module, 128KX32, 35ns, CMOS, CQFP68, 22.36 X 22.36 MM, CERAMIC, QFP-68 |
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| WS128K32N-35G2LM | MICROSEMI |
获取价格 |
Standard SRAM |
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| WS128K32N-35G2LMA | WEDC |
获取价格 |
SRAM Module, 128KX32, 35ns, CMOS, CQFP68, 22.36 X 22.36 MM, CERAMIC, QFP-68 |
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| WS128K32N-35G2LMA | MICROSEMI |
获取价格 |
Standard SRAM |
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