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WS128K32N-20HME

更新时间: 2024-02-08 05:20:36
品牌 Logo 应用领域
WEDC 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
6页 187K
描述
SRAM Module, 512KX8, 20ns, CMOS, CPGA66,

WS128K32N-20HME 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.55最长访问时间:20 ns
其他特性:USER CONFIGURABLE AS 128K X 32备用内存宽度:16
JESD-30 代码:S-CPGA-P66长度:30.1 mm
内存密度:4194304 bit内存集成电路类型:SRAM MODULE
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:66字数:524288 words
字数代码:512000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
组织:512KX8封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码:PGA封装形状:SQUARE
封装形式:GRID ARRAY并行/串行:PARALLEL
认证状态:Not Qualified座面最大高度:6.22 mm
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:MILITARY
端子形式:PIN/PEG端子节距:2.54 mm
端子位置:PERPENDICULAR宽度:30.1 mm
Base Number Matches:1

WS128K32N-20HME 数据手册

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