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WPS512K8LB-70TFM

更新时间: 2024-02-25 10:36:09
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其他 - ETC 静态存储器
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7页 414K
描述
x8 SRAM

WPS512K8LB-70TFM 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.92
最长访问时间:70 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-G32JESD-609代码:e0
内存密度:4194304 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8端子数量:32
字数:524288 words字数代码:512000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:512KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP封装等效代码:TSOP32,.46
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行:PARALLEL电源:5 V
最大待机电流:0.00015 A最小待机电流:2 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.085 mA
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:MILITARY
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL

WPS512K8LB-70TFM 数据手册

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