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WNS40100C PDF预览

WNS40100C

更新时间： 2022-02-26 14:17:03
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瑞能 - WEEN /
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11页 1206K
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Dual power Schottky diode

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WeEn Semiconductors  
WNS40100C  
Dual power Schottky diode  
ala2-008  
4
10  
C
j
(pF)  
3
2
10  
10  
10  
10  
-1  
2
1
10  
10  
V
(V)  
R
f = 1 MHz; Tj = 25 °C  
Fig. 8. Junction capacitance as a function of applied reverse voltage; per diode; typical values  
©
WNS40100C  
All information provided in this document is subject to legal disclaimers.  
WeEn Semiconductors Co., Ltd. 2019. All rights reserved  
Product data sheet  
26 April 2019  
7 / 11  
 
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