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WMS128K8L-85DRQ

更新时间: 2024-02-20 16:25:34
品牌 Logo 应用领域
WEDC 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
6页 159K
描述
Standard SRAM, 128KX8, 85ns, CMOS, CDSO32, CERAMIC, SOJ-32

WMS128K8L-85DRQ 技术参数

生命周期:TransferredReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.57最长访问时间:85 ns
JESD-30 代码:R-CDSO-J32内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1端口数量:1
端子数量:32字数:131072 words
字数代码:128000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
组织:128KX8输出特性:3-STATE
可输出:YES封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
最小待机电流:2 V最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:MILITARY端子形式:J BEND
端子位置:DUALBase Number Matches:1

WMS128K8L-85DRQ 数据手册

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