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WMDE4M4V-70F1I

更新时间: 2024-01-30 21:53:04
品牌 Logo 应用领域
WEDC 动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
9页 430K
描述
EDO DRAM, 4MX4, 70ns, CMOS, CDSO24,

WMDE4M4V-70F1I 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.92
最长访问时间:70 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-XDSO-G24JESD-609代码:e0
内存密度:16777216 bit内存集成电路类型:EDO DRAM
内存宽度:4端子数量:24
字数:4194304 words字数代码:4000000
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:4MX4输出特性:3-STATE
封装主体材料:CERAMIC封装代码:SOP
封装等效代码:SOP24/26,.36封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:2048
自我刷新:NO最大待机电流:0.002 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.08 mA
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

WMDE4M4V-70F1I 数据手册

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