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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.84 | 访问模式： | FAST PAGE WITH EDO |
| 最长访问时间： | 100 ns | 其他特性： | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH |
| JESD-30 代码： | R-CDSO-G24 | 内存密度： | 16777216 bit |
| 内存集成电路类型： | EDO DRAM | 内存宽度： | 4 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 24 | 字数： | 4194304 words |
| 字数代码： | 4000000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 4MX4 | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| WMDE4M4V-100F1M | WEDC |
获取价格 |
EDO DRAM, 4MX4, 100ns, CMOS, CDSO24, |
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| WMDE4M4V-100F2C | WEDC |
获取价格 |
EDO DRAM, 4MX4, 100ns, CMOS, CDSO24, |
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| WMDE4M4V-100F2I | WEDC |
获取价格 |
EDO DRAM, 4MX4, 100ns, CMOS, CDSO24, |
|
| WMDE4M4V-100FBC | WEDC |
获取价格 |
EDO DRAM, 4MX4, 100ns, CMOS, CDFP24, |
|
| WMDE4M4V-100FBI | WEDC |
获取价格 |
EDO DRAM, 4MX4, 100ns, CMOS, CDFP24, |
|
| WMDE4M4V-100FBM | WEDC |
获取价格 |
暂无描述 |
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| WMDE4M4V-100FPC | WEDC |
获取价格 |
EDO DRAM, 4MX4, 100ns, CMOS, CDFP24, |
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| WMDE4M4V-100FPM | WEDC |
获取价格 |
EDO DRAM, 4MX4, 100ns, CMOS, CDFP24, |
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| WMDE4M4V-70F1C | WEDC |
获取价格 |
EDO DRAM, 4MX4, 70ns, CMOS, CDSO24, |
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| WMDE4M4V-70F1I | WEDC |
获取价格 |
EDO DRAM, 4MX4, 70ns, CMOS, CDSO24, |
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