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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | DISK BUTTON, O-CEDB-N2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.30.00.80 |
| 风险等级： | 5.84 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | PEAK TURN-OFF CURRENT IS 600A | 标称电路换相断开时间： | 70 µs |
| 配置： | SINGLE | 最大直流栅极触发电流： | 1000 mA |
| 最大直流栅极触发电压： | 1 V | JESD-30 代码： | O-CEDB-N2 |
| 最大漏电流： | 20 mA | 通态非重复峰值电流： | 5000 A |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最大通态电流： | 440000 A | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | DISK BUTTON |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大均方根通态电流： | 870 A |
| 断态重复峰值电压： | 1200 V | 重复峰值反向电压： | 1200 V |
| 子类别： | Silicon Controlled Rectifiers | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | END |
| 触发设备类型： | SYMMETRICAL GTO SCR | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| WG6012R03 | IXYS |
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Gate Turn-Off SCR, 1200V V(DRM), 300V V(RRM), 1 Element |
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| WG6012R04 | IXYS |
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Gate Turn-Off SCR, 1200V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element |
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| WG6012R06 | IXYS |
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Gate Turn-Off SCR, 1200V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element |
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| WG6012R07 | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 1200 V, GATE TURN-OFF SCR |
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| WG6012R08 | IXYS |
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Gate Turn-Off SCR, 1200V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element |
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| WG6012R09 | IXYS |
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Gate Turn-Off SCR, 1200V V(DRM), 900V V(RRM), 1 Element |
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| WG6012R10 | IXYS |
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Gate Turn-Off SCR, 1200V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element |
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| WG6012R11 | IXYS |
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Gate Turn-Off SCR, 1200V V(DRM), 1100V V(RRM), 1 Element |
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| WG6012R12 | IXYS |
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Symmetrical GTO SCR, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element |
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| WG6013 | IXYS |
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Gate Turn-Off SCR, 870A I(T)RMS, 1300V V(DRM), 100V V(RRM), 1 Element |
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