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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | DISK BUTTON, O-CEDB-N2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.30.00.80 |
| 风险等级： | 5.83 | 其他特性： | PEAK TURN-OFF CURRENT IS 500A |
| 标称电路换相断开时间： | 90 µs | 配置： | SINGLE |
| 最大直流栅极触发电流： | 1000 mA | JESD-30 代码： | O-CEDB-N2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | DISK BUTTON | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大均方根通态电流： | 640 A | 断态重复峰值电压： | 2500 V |
| 重复峰值反向电压： | 300 V | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | END |
| 触发设备类型： | GATE TURN-OFF SCR |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| WG5025R04 | IXYS |
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Gate Turn-Off SCR, 640A I(T)RMS, 2500V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element |
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| WG5025R06 | IXYS |
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Gate Turn-Off SCR, 640A I(T)RMS, 2500V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element |
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| WG5025R07 | IXYS |
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Gate Turn-Off SCR, 640A I(T)RMS, 2500V V(DRM), 700V V(RRM), 1 Element |
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| WG5025R08 | IXYS |
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Gate Turn-Off SCR, 640A I(T)RMS, 2500V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element |
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| WG5025R10 | IXYS |
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Gate Turn-Off SCR, 640A I(T)RMS, 2500V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element |
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| WG5025R11 | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 640 A, 2500 V, GATE TURN-OFF SCR |
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| WG5025R12 | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 640 A, 2500 V, GATE TURN-OFF SCR |
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| WG5025R13 | IXYS |
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Gate Turn-Off SCR, 640A I(T)RMS, 2500V V(DRM), 1300V V(RRM), 1 Element |
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| WG5025R15 | IXYS |
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Gate Turn-Off SCR, 640A I(T)RMS, 2500V V(DRM), 1500V V(RRM), 1 Element |
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| WG5025R17 | IXYS |
获取价格 |
Gate Turn-Off SCR, 640A I(T)RMS, 2500V V(DRM), 1700V V(RRM), 1 Element |
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