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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | DISK BUTTON, O-CEDB-N2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.30.00.80 |
| 风险等级： | 5.84 | 其他特性： | PEAK TURN-OFF CURRENT IS 1200A |
| 标称电路换相断开时间： | 100 µs | 配置： | SINGLE |
| 最大直流栅极触发电流： | 1300 mA | JESD-30 代码： | O-CEDB-N2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | DISK BUTTON | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大均方根通态电流： | 1600 A | 断态重复峰值电压： | 1900 V |
| 重复峰值反向电压： | 1800 V | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | END |
| 触发设备类型： | GATE TURN-OFF SCR |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| WG12020 | IXYS |
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Gate Turn-Off SCR, 1600A I(T)RMS, 790000mA I(T), 2000V V(DRM), 100V V(RRM), 1 Element |
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| WG1202001 | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 2000 V, GATE TURN-OFF SCR |
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| WG12020F | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 1340 A, 2000 V, GATE TURN-OFF SCR |
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| WG12020F01 | IXYS |
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Gate Turn-Off SCR, 2000V V(DRM), 100V V(RRM), 1 Element |
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| WG12020FR | ETC |
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THYRISTOR|GTO|2KV V(DRM)|TO-200VAR74 |
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| WG12020FR02 | IXYS |
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Gate Turn-Off SCR, 1340A I(T)RMS, 2000V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element |
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| WG12020FR03 | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 1340 A, 2000 V, GATE TURN-OFF SCR |
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| WG12020FR04 | IXYS |
获取价格 |
Gate Turn-Off SCR, 1340A I(T)RMS, 2000V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element |
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| WG12020FR05 | IXYS |
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Gate Turn-Off SCR, 1340A I(T)RMS, 2000V V(DRM), 500V V(RRM), 1 Element |
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| WG12020FR06 | IXYS |
获取价格 |
Gate Turn-Off SCR, 1340A I(T)RMS, 2000V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element |
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