5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | DISK BUTTON, O-CEDB-N2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.30.00.80 |
| 风险等级： | 5.83 | 其他特性： | PEAK TURN-OFF CURRENT IS 1000A |
| 配置： | SINGLE | JESD-30 代码： | O-CEDB-N2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | DISK BUTTON | 认证状态： | Not Qualified |
| 断态重复峰值电压： | 3900 V | 重复峰值反向电压： | 1300 V |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | END | 触发设备类型： | GATE TURN-OFF SCR |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| WG10039R14 | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 3900 V, GATE TURN-OFF SCR |
|
| WG10039R16 | IXYS |
获取价格 |
Gate Turn-Off SCR, 3900V V(DRM), 1600V V(RRM), 1 Element |
|
| WG10039R17 | IXYS |
获取价格 |
Gate Turn-Off SCR, 3900V V(DRM), 1700V V(RRM), 1 Element |
|
| WG10039R18 | IXYS |
获取价格 |
Gate Turn-Off SCR, 3900V V(DRM), 1800V V(RRM), 1 Element |
|
| WG10039R20 | IXYS |
获取价格 |
Gate Turn-Off SCR, 3900V V(DRM), 2000V V(RRM), 1 Element |
|
| WG10039R21 | IXYS |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| WG10039R22 | IXYS |
获取价格 |
Gate Turn-Off SCR, 3900V V(DRM), 2200V V(RRM), 1 Element |
|
| WG10039R24 | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 3900 V, GATE TURN-OFF SCR |
|
| WG10039R25 | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 3900 V, GATE TURN-OFF SCR |
|
| WG10039R26 | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 3900 V, GATE TURN-OFF SCR |
|
晶圆厂易主：Coherent公司2000万英镑出售苹果供应链关键资产
Galaxy S25系列或全系搭载骁龙8 Elite
三大厂商12层HBM3E进展迅速
塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
