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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| WG10039R21 | IXYS |
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暂无描述 |
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| WG10039R22 | IXYS |
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Gate Turn-Off SCR, 3900V V(DRM), 2200V V(RRM), 1 Element |
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| WG10039R24 | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 3900 V, GATE TURN-OFF SCR |
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| WG10039R25 | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 3900 V, GATE TURN-OFF SCR |
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| WG10039R26 | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 3900 V, GATE TURN-OFF SCR |
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| WG10039R28 | IXYS |
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Gate Turn-Off SCR, 3900V V(DRM), 2800V V(RRM), 1 Element |
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| WG10039R30 | IXYS |
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Gate Turn-Off SCR, 3900V V(DRM), 3000V V(RRM), 1 Element |
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| WG10039R31 | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 3900 V, GATE TURN-OFF SCR |
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| WG10039R32 | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 3900 V, GATE TURN-OFF SCR |
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| WG10039R34 | IXYS |
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Gate Turn-Off SCR, 3900V V(DRM), 3400V V(RRM), 1 Element |
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晶圆厂易主：Coherent公司2000万英镑出售苹果供应链关键资产
Galaxy S25系列或全系搭载骁龙8 Elite
三大厂商12层HBM3E进展迅速
塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
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