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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | DISK BUTTON, O-CEDB-N2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.30.00.80 |
| 风险等级： | 5.83 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | PEAK TURN-OFF CURRENT IS 1000A | 标称电路换相断开时间： | 105 µs |
| 配置： | SINGLE | 最大直流栅极触发电流： | 2000 mA |
| JESD-30 代码： | O-CEDB-N2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | DISK BUTTON |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大均方根通态电流： | 980 A |
| 断态重复峰值电压： | 3300 V | 重复峰值反向电压： | 2400 V |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | END | 触发设备类型： | GATE TURN-OFF SCR |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| WG10033FR25 | IXYS |
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Gate Turn-Off SCR, 980A I(T)RMS, 3300V V(DRM), 2500V V(RRM), 1 Element |
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| WG10033FR27 | IXYS |
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暂无描述 |
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| WG10033FR28 | IXYS |
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Gate Turn-Off SCR, 980A I(T)RMS, 3300V V(DRM), 2800V V(RRM), 1 Element |
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| WG10033R | ETC |
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THYRISTOR|GTO|3.3KV V(DRM)|TO-200VAR74 |
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| WG10033R02 | IXYS |
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Gate Turn-Off SCR, 1180A I(T)RMS, 3300V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element |
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| WG10033R03 | IXYS |
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Gate Turn-Off SCR, 1180A I(T)RMS, 3300V V(DRM), 300V V(RRM), 1 Element |
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| WG10033R05 | IXYS |
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Gate Turn-Off SCR, 1180A I(T)RMS, 3300V V(DRM), 500V V(RRM), 1 Element |
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| WG10033R06 | IXYS |
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Gate Turn-Off SCR, 1180A I(T)RMS, 3300V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element |
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| WG10033R07 | IXYS |
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Gate Turn-Off SCR, 1180A I(T)RMS, 3300V V(DRM), 700V V(RRM), 1 Element |
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| WG10033R09 | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 1180 A, 3300 V, GATE TURN-OFF SCR |
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